အားလုံးထုတ်ကုန်များ

BLC9G21LS-60AVZ RF MOSFET LDMOS

ပါဝါ LDMOS Transistor BLC9G21LS-60AVZ သည် Ampleon ၏ Gen9 LDMOS နည်းပညာအပေါ် အခြေခံထားသည့် Dual N-channel LDMOS RF ပါဝါထရန်စစ္စတာဖြစ်ပြီး 1805–2200MHz (1.8–2.2GHz) 4G/5G အခြေစိုက်စခန်းများ၊ ဝန်ဆောင်မှုပေးသူအများအပြား ဆက်သွယ်ရေးစနစ်များနှင့်...

RF MOSFET ထရန်စစ္စတာ BLC10G27XS-551AVT

ပါဝါ LDMOS Transistor မော်ဒယ်- BLC10G27XS-551AVT ထုတ်လုပ်သူ- Ampleon ထုတ်ကုန်အမျိုးအစား- 10th Generation 28V LDMOS Packaged Asymmetric Doherty Power Transistor၊ 2.62–2.69GHz 5G NR n78 band macro base station နောက်ဆုံးအဆင့် ပါဝါချဲ့ထွင်မှု...

BLC10G16XS-600AVT RF MOSFET LDMOS 32V

HF/VHF ပါဝါ LDMOS အပိုင်းနံပါတ်: BLC10G16XS-600AVT ထုတ်လုပ်သူ: Ampleon စက်အမျိုးအစား: LDMOS၊ အချိုးမညီသော Doherty ပါဝါထရန်စစ္စတာ၊ 1.427–1.518 GHz၊ 600W အတန်းအစား၊ macro အခြေစိုက်စခန်း RF နောက်ဆုံးအဆင့် အသံချဲ့စက်အတွက် ရည်ရွယ်ပါသည်။...

BLC10G18XS-360AVT RF MOSFET LDMOS

ပါဝါ LDMOS Transistor BLC10G18XS-360AVT သည် Ampleon မှ အချိုးမညီသော Doherty LDMOS RF ပါဝါထရန်စစ္စတာဖြစ်ပြီး 1805–1880MHz (1.8GHz) 4G/5G macro အခြေစိုက်စခန်းများနှင့် ဝန်ဆောင်မှုပေးသည့် ပါဝါအမ်ပလီဘာများစွာအတွက် အကောင်းဆုံးဖြစ်သည်။ SOT1258-4...

RF MOSFET ထရန်စစ္စတာ BLC10G27XS-400AVTZ

ပါဝါ LDMOS Transistor မော်ဒယ်- BLC10G27XS-400AVT (စံ မော်ဒယ်- BLC10G27XS-400AVTZ၊ တိပ်နှင့် ရစ်ပတ်ထုပ်ပိုးမှု) ထုတ်လုပ်သူ- Ampleon ထုတ်ကုန်အမျိုးအစား- 9th Generation 28V LDMOS Packaged Asymmetric Doherty RF Power Transistor (2.496–2.69 GHz Base...

BLC10G19XS-600AVT RF MOSFET LDMOS

HF/VHF ပါဝါ LDMOS BLC10G19XS-600AVT သည် 1930 မှ 1995 MHz ဖြင့် Ampleon မှ 10th-generation LDMOS asymmetric Doherty power transistor တစ်ခုဖြစ်သည်။ 4G/5G macro အခြေစိုက်စခန်းများနှင့် mMIMO နောက်ဆုံးပါဝါချဲ့စက်များအတွက် အကောင်းဆုံးလုပ်ဆောင်ထားပြီး၊...

BLC10G19XS-551AV RF MOSFET LDMOS

HF/VHF ပါဝါ LDMOS BLC10G19XS-551AV သည် Ampleon (နယ်သာလန်) မှ ထုတ်လုပ်သော 10th-generation silicon-based LDMOS RF ပါဝါထရန်စစ္စတာဖြစ်ပြီး 4G LTE နှင့် 1930-2000 MHz လှိုင်းနှုန်း 1930-2000 MHz တို့တွင် အချိုးမညီသော Doherty ပါဝါအမ်ပလီယာများအတွက်...

BLC10G22XS-602AVT RF MOSFET LDMOS 30V SOT1258

VHF ပါဝါ LDMOS BLC10G22XS-602AVT သည် 2110–2170 MHz (2.1 GHz) Band ရှိ 4G LTE နှင့် 5G NR macro base station multi-carrier applications များအတွက် Ampleon (နယ်သာလန်) မှ ထုတ်လုပ်သော 10th-generation LDMOS RF power transistor တစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်းသည်...

BLC10G18XS-602AVT RF MOSFET LDMOS

HF/VHF ပါဝါ LDMOS BLC10G18XS-602AVT သည် Ampleon မှထုတ်လုပ်သော စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် LDMOS RF ပါဝါထရန်စစ္စတာဖြစ်ပြီး 1805–1880 MHz လှိုင်းနှုန်းအကွာအဝေး (1.8 GHz လှိုင်းနှုန်း) တွင် macro base station applications များအတွက် ဒီဇိုင်းထုတ်ထားသည်။ ၎င်းသည်...

BLC10G22XS-400AVT ပါဝါ LDMOS ထရန်စစ္စတို

ပါဝါ LDMOS Transistor BLC10G22XS-400AVT သည် Ampleon မှ အချိုးမညီသော Doherty LDMOS ပါဝါထရန်စစ္စတာဖြစ်ပြီး 2110–2200MHz (2.2GHz) 4G/5G macro အခြေစိုက်စခန်းများနှင့် multi-carrier RF ပါဝါအမ်ပလီယာများအတွက် အကောင်းဆုံးဖြစ်သည်။ SOT1258-4 ပက်ကေ့ဂျ်တွင်...

BLC10G22XS-603AVT RF MOSFET LDMOS 30V

HF/VHF ပါဝါ LDMOS အပိုင်းနံပါတ်- BLC10G22XS-603AVT (နောက်ဆက်တွဲ Z/Y- BLC10G22XS-603AVTY) ထုတ်လုပ်သူ: Ampleon စက်ပစ္စည်းအမျိုးအစား- LDMOS၊ အချိုးမညီ Doherty ပါဝါထရန်စစ္စတာ၊ 2.11–2.17 GHz၊ 600 W အထွတ်အထိပ်ပါဝါ၊ 5G NR/4G LTE macro base station RF...

BLF974P BLF974PU စွမ်းအားမြင့် LDMOS

BLF974P၊ Ampleon၊ 500W HF/VHF Broadband LDMOS RF ပါဝါထရန်စစ္စတာ၊ 50V အဆင့်မြင့် LDMOS နည်းပညာ၊ 10kHz-700MHz Ultra-Wide Frequency လွှမ်းခြုံမှု၊ ထုတ်လွှင့်မှု/စက်မှုလုပ်ငန်း/သိပ္ပံ/ဆေးဘက်ဆိုင်ရာ (ISM) အထူးသီးသန့် ESD ပါဝါ RF ပါဝါပံ့ပိုးမှု နှင့်...

BLP9H10-30G RF MOSFET LDMOS

အစိတ်အပိုင်းနံပါတ်: BLP9H10-30G ထုတ်လုပ်သူ: Ampleon စက်ပစ္စည်းအမျိုးအစား- 9th-generation 50V LDMOS RF ပါဝါထရန်စစ္စတာ၊ 30W၊ ပလပ်စတစ်ပက်ကေ့၊၊ sub-1GHz 4G/3G/2G အခြေစိုက်စခန်းဒရိုင်ဘာ သို့မဟုတ် ပါဝါနည်းသော နောက်ဆုံးအသံချဲ့စက်များအတွက်...

BLC10G22XS-301AVT RF MOSFET LDMOS DFM6

အထွေထွေဖော်ပြချက် BLC10G22XS-301AVT သည် 2110–2170MHz (5G n1/n66, 4G B1/B66) လုပ်ငန်းစဉ်မှ Ampleon ၏ 10th-မျိုးဆက် (GEN10) လုပ်ငန်းစဉ်မှ 300W P1dB အချိုးမညီ Doherty LDMOS ထရန်စစ္စတာတစ်ခုဖြစ်သည်။ SOT1275-1 အပူပိုင်းမြှင့်တင်ထားသော ပက်ကေ့ဂျ်တွင်...

GaN HEMT CLL3H0914L-700U AlGaN

အစိတ်အပိုင်းနံပါတ် ： CLL3H0914L-700 ထုတ်လုပ်သူ: Ampleon စက်ပစ္စည်းအမျိုးအစား- L-band၊ 700W GaN-SiC HEMT (Gallium Nitride Silicon Carbide High Electron Mobility Transistor)၊ အတွင်းပိုင်းကြိုတင်ပြင်ဆင်ထားသော၊ 0.9–1.4 GHz၊ pulse ရေဒါ / aerospace...

BLF188XR RF MOSFET LDMOS 50V CDFM4

BLF188XR လျှောက်လွှာ ထုတ်ကုန်များ BLF188XR သည် Ampleon (ယခင် NXP) မှ ထုတ်လုပ်သော 1400W LDMOS RF ပါဝါထရန်စစ္စတာဖြစ်ပြီး HF ~ 600 MHz ၏ ကြိမ်နှုန်းအကွာအဝေးတွင် လည်ပတ်နေသည်။ ထုတ်လွှင့်ခြင်း၊ စက်မှုလုပ်ငန်း၊ သိပ္ပံနည်းကျ၊ ဆေးဘက်ဆိုင်ရာ (ISM)...

BLM9D1822-30B ၉ ခုမြောက် မျိုးဆက် LDMOS AMPLEON

BLM9D1822-30BZ သည် Ampleon (နယ်သာလန်) မှ 9th-generation LDMOS 2-stage ပေါင်းစပ်ထားသော Doherty MMIC၊ 4G/5G ဆဲလ်အသေးများ၊ မက်ခရိုအခြေစိုက်စခန်းဒရိုင်ဘာအဆင့်များနှင့် 1.8-2.2 GHz လှိုင်းနှုန်းအတွက် ယေဘုယျအားဖြင့် RF ချဲ့ထွင်မှုများအတွက်...

BLM8G0710S-15PB 2 stage dual section power MMIC

အစိတ်အပိုင်းနံပါတ်: BLM8G0710S-15PB ထုတ်လုပ်သူ: Ampleon စက်ပစ္စည်းအမျိုးအစား- 8th-generation LDMOS၊ 2-stage/ dual-section power MMIC၊ 700–1000 MHz sub-1GHz၊ 15W-အတန်းအစား အထွေထွေ-ရည်ရွယ်ချက်မောင်းနှင်သူ/သေးငယ်သော ဆဲလ်နောက်ဆုံးအသံချဲ့စက်။...

B11G1822N60DXZ AMPLEON MMIC LDMOS

အစိတ်အပိုင်းနံပါတ် : B11G1822N60D ထုတ်လုပ်သူ: Ampleon စက်ပစ္စည်းအမျိုးအစား- LDMOS၊ အပိုင်း ၂ ပိုင်း အပြည့်အ၀ပေါင်းစပ်ထားသော Doherty MMIC၊ 1.8–2.2 GHz၊ 60 W လိုင်းနားပါဝါ၊ macro အခြေစိုက်စခန်း / 5G mMIMO အထွေထွေသုံး ယာဉ်မောင်း အသံချဲ့စက်Ampleon။...

C4H18W500A RF MOSFET 48V SOT1273

အစိတ်အပိုင်းနံပါတ် : C4H18W500A ထုတ်လုပ်သူ: Ampleon စက်ပစ္စည်းအမျိုးအစား- Gallium Nitride (GaN)HEMT၊ 48V အချိုးမညီသော Doherty RF ပါဝါထရန်စစ္စတာ လျှောက်လွှာ: 4G / 5G macro အခြေစိုက်စခန်း AAU & RRU၊ 1800～2000 MHz အတွက် နောက်ဆုံးပါဝါအသံချဲ့စက်...

BLC10G15XS-301AVT RF MOSFET LDMOS 30V

အပိုင်းနံပါတ်: BLC10G15XS-301AVT ထုတ်လုပ်သူ: Ampleon စက်ပစ္စည်းအမျိုးအစား- 10th-generation LDMOS၊ 30V asymmetric Doherty RF power transistor လှိုင်းနှုန်း : 1452 မှ 1492 MHz (5G n5 / 4G B5 လှိုင်းများ) အပလီကေးရှင်း- 4G/5G macro အခြေစိုက်စခန်း AAU...

BLC9H10XS-606AZ RF MOSFET LDMOS 48V

အပိုင်းနံပါတ် : BLC9H10XS-606A ထုတ်လုပ်သူ Ampleon စက်ပစ္စည်းအမျိုးအစား - 9th-generation 48V LDMOS RF ပါဝါထရန်စစ္စတာ၊ ပေါင်းစပ်ထည့်သွင်းမှုကိုက်ညီသော အချိုးမညီ Doherty ဒီဇိုင်း၊ sub-1GHz 4G/5G အခြေစိုက်စခန်းနောက်ဆုံးပါဝါအသံချဲ့စက်အတွက်...

ART1K9FH ART1K9FHU အမြင့်ဆုံးပါဝါ LDMOS RF ထရန်စစ္စတာ

ART1K9FHU သည် Advanced Rugged Technology (ART) ကို အခြေခံ၍ Ampleon မှ ထုတ်လုပ်သော 1900 W peak power LDMOS RF transistor တစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်းကို 1 MHz–500 MHz (လှိုင်းနှုန်းနည်းသော VHF လှိုင်းနှုန်းအထိ) ISM၊ ထုတ်လွှင့်မှုနှင့်...

BLF989E RF MOSFET ထရန်စစ္စတာများ

BLF989E သည် 9th မျိုးဆက် ဗို့အားမြင့် (50V) LDMOS လုပ်ငန်းစဉ်နည်းပညာကို အသုံးပြု၍ Ampleon မှ ထုတ်လုပ်သော 1000 W အမြင့်ဆုံးပါဝါ LDMOS RF ထရန်စစ္စတာတစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်းကို 400-860 MHz (UHF လှိုင်း) အချိုးမညီသော ထုတ်လွှင့်သည့် Doherty...