BLC10G19XS-551AV RF MOSFET LDMOS

Get Latest Price

min ။ အမိန့်:

အခုတော့ဆက်သွယ်ပါ

ကုန်ပစ္စည်းအကြောင်းအရာ

ကုန်ပစ္စည်း Attrib...

ထုပ်ပိုးခြင်း�...

ကုန်ပစ္စည်းအက�...

ကုန်ပစ္စည်း Attrib...

မော်ဒယ်နံပါတ်။: BLC10G19XS-551AV BLC10G19XS-551AVY

အမှတ်တံဆိပ်: AMPLEON

ထုပ်ပိုးခြင်း�...

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

ကုန်ပစ္စည်းအက�...

HF/VHF ပါဝါ LDMOS

BLC10G19XS-551AV သည် Ampleon (နယ်သာလန်) မှ ထုတ်လုပ်သော 10th-generation silicon-based LDMOS RF ပါဝါထရန်စစ္စတာဖြစ်ပြီး 4G LTE နှင့် 1930-2000 MHz လှိုင်းနှုန်း 1930-2000 MHz တို့တွင် အချိုးမညီသော Doherty ပါဝါအမ်ပလီယာများအတွက် အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင်ပြုလုပ်ထားသည်။ ၎င်းတွင် မြင့်မားသော ပါဝါ၊ စွမ်းဆောင်ရည် မြင့်မားပြီး အကြမ်းခံမှု မြင့်မားသည်။

အဓိကသတ်မှတ်ချက်များ

ထုတ်လုပ်သူ- Ampleon (နယ်သာလန်)
အပိုင်းနံပါတ်- BLC10G19XS-551AV
ကြိမ်နှုန်းအပိုင်းအခြား- 1930–2000 MHz
Peak Output Power (P3dB) : 570 W @ 30 V
Drain Supply Voltage (VDS): 30 V
Power Gain (Gp) : 15 dB (ပုံမှန်)
Drain Efficiency (ηD): 50.5% (ပုံမှန်၊ Doherty)
ပက်ကေ့ချ်- SOT1258-5 (Air-Cavity Ceramic၊ ACP)
နည်းပညာ- 10th-gen LDMOS (ဆီလီကွန်)
အပလီကေးရှင်း- 1.9 GHz ကြိုးဝိုင်း macro အခြေစိုက်စခန်း နောက်ဆုံး ပါဝါအမ်ပလီယာများ
အခြေအနေ- ဒီဇိုင်းအသစ်များ (NRND) အတွက် အကြံပြုထားခြင်းမရှိပါ။

အင်္ဂါရပ်များ

မြင့်မားသောပါဝါသိပ်သည်းဆ- 5G macro PA ဒီဇိုင်းများအတွက် 30 V တွင် အမြင့်ဆုံးပါဝါ 570 W။
မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်- Doherty လည်ပတ်မှုတွင် ပုံမှန်ရေနုတ်မြောင်း၏ 50.5% သည် ပါဝါသုံးစွဲမှုနှင့် အပူဝန်ကို လျော့နည်းစေသည်။
မြင့်မားသောရရှိမှု- 15 dB အမြတ်သည် PA လိုင်းတက်ခြင်းကို ရိုးရှင်းစေပြီး ယာဉ်မောင်းအဆင့်များကို လျှော့ချပေးသည်။
Doherty-Optimized- အထွက်နှုန်းနည်းသောစွမ်းရည်သည် အချိုးမညီသော Doherty ဖွဲ့စည်းမှုပုံစံများတွင် စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ပေးသည်။
မြင့်မားသောကြမ်းတမ်းမှု- ကြမ်းတမ်းသောပတ်ဝန်းကျင်များတွင် ယုံကြည်စိတ်ချရသောလုပ်ဆောင်မှုအတွက် 10:1 VSWR မကိုက်ညီမှုကို ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။
အပူဒဏ်ခံနိုင်ရည်နည်းပါးခြင်း- ACP package သည် သာလွန်ကောင်းမွန်သော အပူကို ပျံ့နှံ့စေပြီး အပူတည်ငြိမ်မှုကို ပေးပါသည်။
Memory Effect နည်းပါးခြင်း- ရှုပ်ထွေးသော ပြုပြင်မွမ်းမံထားသော အချက်ပြမှုများအတွက် အထူးကောင်းမွန်သော ဒစ်ဂျစ်တယ် ကြိုတင်ပုံပျက်ခြင်း (DPD) စွမ်းရည်။
အတွင်းပိုင်းကိုက်ညီမှု + ESD အကာအကွယ်- ဒီဇိုင်းကို ရိုးရှင်းစေပြီး ESD ကြံ့ခိုင်မှုကို တိုးတက်စေသည်။
RoHS Compliant- အီးယူ RoHS ညွှန်ကြားချက်များနှင့်အညီ သဘာဝပတ်ဝန်းကျင်နှင့် သဟဇာတဖြစ်မှု၊

အသုံးချမှု

4G LTE နှင့် 5G NR Macro အခြေစိုက်စခန်းများ- 1.9 GHz ကြိုးမဲ့ဆက်သွယ်ရေးစနစ်များအတွက် နောက်ဆုံးပါဝါအသံချဲ့စက်အဆင့်များ။
ကြိုးမဲ့အခြေခံအဆောက်အဦ- ဆဲလ်လူလာကွန်ရက်လွှမ်းခြုံမှုနှင့် စွမ်းရည်တိုးချဲ့မှုအတွက် စွမ်းအားမြင့် RF အသံချဲ့စက်။
Doherty Amplifiers- ခေတ်မီအခြေခံစခန်းများရှိ စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် အချိုးမညီသော Doherty PA ဗိသုကာများအတွက် စံပြဖြစ်သည်။

ပူထုတ်ကုန်များ