BLC10G22XS-603AVT RF MOSFET LDMOS 30V

အဓိကသတ်မှတ်ချက်များ (Tcase=25°C၊ VDS=30V၊ 5G NR/W-CDMA အချက်ပြမှု)

• ကြိမ်နှုန်းအတိုင်းအတာ- 2.11 GHz ~ 2.17 GHz (n1/n3 ကဲ့သို့ 5G ပင်မလှိုင်းများ)
• Drain Supply Voltage (VDS) : 30 V (အမျိုးအစား။), Max 65 V
• Quiescent Current (IDq) : 1150 mA (Main amp၊ Typ)
• ပျမ်းမျှအထွက်ပါဝါ (PL(AV)): 110–118 W (50.4–50.7 dBm)
• Peak Output Power (PL(M))： 600–650 W (အမျိုးအစား။ 600 W)
• ပါဝါရရှိမှု (Gp) : 15.4 dB (အမျိုးအစား။)
• Drain Efficiency (ηD): 47.5% (အမျိုးအစား။)
• ကပ်လျက်ချန်နယ်ပါဝါအချိုးအစား (ACPR)：−31 dBc (အမျိုးအစား၊ မျဉ်းကြောင်းခွဲပြီးနောက် ≤−50 dBc)
• Input Return Loss (RLin)：−15 dB (အမျိုးအစား။)
• ပက်ကေ့ဂျ်: SOT1258-4 (6-ခဲ၊ နားမပါဘဲ အနားကွပ်၊ လေဝင်ပေါက် ပလပ်စတစ်)
• Thermal Resistance (Junction to Case): 0.17–0.19 K/W (110–140W ပါဝါ dissipation တွင်)
• အင်္ဂါရပ်များ- အတွင်းပိုင်းကြိုတင်ကိုက်ညီမှု၊ မှတ်ဉာဏ်နည်းသောအကျိုးသက်ရောက်မှုများ၊ မြင့်မားသောမတူညီမှုသည်းခံနိုင်မှု (VSWR=10:1)၊ အထွက်နှုန်းနည်းသော၊ ESD အကာအကွယ်၊ မြင့်မားသောကြမ်းတမ်းမှု

အဓိကအင်္ဂါရပ်များ

• Asymmetric Doherty ဗိသုကာ- ပေါင်းစပ်ထားသော main+peaking dual-path၊ 5G မြင့်မားသော PAPR အချက်ပြမှုများအတွက် အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင်၊ မြင့်မားသောထိရောက်မှုနှင့် မြင့်မားသော linearity ကို ချိန်ညှိပေးသည်။
• မြင့်မားသောပါဝါသိပ်သည်းဆ: 600W အမြင့်ဆုံးပါဝါ၊ 15.4dB အမြတ်၊ 2.1GHz လှိုင်းဘန်းရှိ macro base stations များ၏ ပါဝါလွှမ်းခြုံမှုမြင့်မားသောလိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးသည်။
• မှတ်ဉာဏ်နည်းသော အကျိုးသက်ရောက်မှု ဒီဇိုင်း- လိုင်းမဟုတ်သော ဝိသေသလက္ခဏာများကို ပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်ထားသော၊ အားကောင်းသော DPD linearization စွမ်းရည်၊ 5G ဝန်ဆောင်မှုပေးသူအများအပြားနှင့် ကြီးမားသော MIMO အခြေအနေများအတွက် သင့်လျော်သည်။
• အလွန်ကောင်းမွန်သောအပူစွမ်းဆောင်ရည်- မြင့်မားသောအပူရှိန်ပျံ့နှံ့မှုထိရောက်မှုအတွက်၊ အလွန်နိမ့်သောအပူခံနိုင်ရည် (0.17K/W)၊ ရေရှည်စဉ်ဆက်မပြတ်ပါဝါမြင့်မားသောလည်ပတ်မှုကိုထောက်ပံ့ပေးသည်။
• အတွင်းပိုင်းကြိုတင်ကိုက်ညီမှု- ပြင်ပနှင့်ကိုက်ညီသောဆားကစ်များကို ရိုးရှင်းစေပြီး ဒီဇိုင်းစက်ဝန်းများကိုတိုစေကာ BOM ကုန်ကျစရိတ်ကို လျှော့ချပေးသည်။
• မြင့်မားသောကြမ်းတမ်းမှု- ရေရှည်တည်ငြိမ်သောလည်ပတ်မှုအတွက် VSWR=10:1 အားလုံး-အဆင့်ဝန်မတူညီမှုနှင့် broadband ဆူညံသံကြားဖြတ်ခြင်းကိုခံနိုင်ရည်ရှိသည်။
• RoHS နှင့် ကိုက်ညီမှု- ခဲ-အခမဲ့၊ eco-friendly။

ရိုးရိုးအပလီကေးရှင်းများ

• 5G macro အခြေစိုက်စခန်းနောက်ဆုံးအသံချဲ့စက် (2.11–2.17 GHz၊ n1/n3 လှိုင်းများ)；
• 4G LTE/5G NR multi-carrier RF အသံချဲ့စက်
• စွမ်းအားမြင့် RF အခြေစိုက်စခန်း ထုတ်လွှင့်သည့် လမ်းကြောင်းများ။
• ပိုမိုမြင့်မားသောပါဝါနှင့်စွမ်းဆောင်ရည်အတွက် အမွေအနှစ် LDMOS (ဥပမာ၊ BLC10G22XS-400AVT) အတွက် အစားထိုးခြင်း။

အပိုင်းနံပါတ် အဓိပ္ပာယ်ဖွင့်ဆိုချက်

• BLC: B-series၊ LDMOS၊ Doherty ပါဝါထရန်စစ္စတာ
• 10G: 10th-gen LDMOS လုပ်ငန်းစဉ်၊ ယေဘူယျအခြေခံစခန်းလျှောက်လွှာ
• 22: 2.1–2.2GHz လှိုင်း (2.11–2.17GHz)
• XS: Earless flanged အထုပ်၊ ပါဝါသိပ်သည်းဆမြင့်မားသည်။
• 603：600W အတန်းအစား ပါဝါအဆင့်သတ်မှတ်ချက် (600W အမြင့်ဆုံး)
• AVT：Asymmetric Doherty၊ လေဝင်ပေါက် ပလပ်စတစ်အထုပ်၊ စံဗားရှင်း (Z/Y = batch/environmental suffix)