Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

မြန်မာ

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
မြန်မာ
နေအိမ်> ထုတ်ကုန်များ> RF ပါဝါ Transistor> ပါဝါ LDMOS Transistor> RF MOSFET ထရန်စစ္စတာ BLC10G27XS-400AVTZ
RF MOSFET ထရန်စစ္စတာ BLC10G27XS-400AVTZ
RF MOSFET ထရန်စစ္စတာ BLC10G27XS-400AVTZ
RF MOSFET ထရန်စစ္စတာ BLC10G27XS-400AVTZ
RF MOSFET ထရန်စစ္စတာ BLC10G27XS-400AVTZ
RF MOSFET ထရန်စစ္စတာ BLC10G27XS-400AVTZ
RF MOSFET ထရန်စစ္စတာ BLC10G27XS-400AVTZ

RF MOSFET ထရန်စစ္စတာ BLC10G27XS-400AVTZ

Get Latest Price
min ။ အမိန့်:1
ကုန်ပစ္စည်း Attrib...

မော်ဒယ်နံပါတ်။BLC10G27XS-400AVT BLC10G27XS-400AVTZ

အမှတ်တံဆိပ်AMPLEON

ထုပ်ပိုးခြင်း...

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

ကုန်ပစ္စည်းအက...
ပါဝါ LDMOS Transistor
မော်ဒယ်- BLC10G27XS-400AVT (စံ မော်ဒယ်- BLC10G27XS-400AVTZ၊ တိပ်နှင့် ရစ်ပတ်ထုပ်ပိုးမှု)
ထုတ်လုပ်သူ- Ampleon
ထုတ်ကုန်အမျိုးအစား- 9th Generation 28V LDMOS Packaged Asymmetric Doherty RF Power Transistor (2.496–2.69 GHz Base Station Multi-Carrier Applications အတွက် Optimized)

အဓိကသတ်မှတ်ချက်များ

Parameter Specification
Frequency Range 2496 MHz to 2690 MHz (2.496–2.69 GHz), covering 5G NR n78/n79 and other key bands
Peak Output Power (P1dB) 400 W (Continuous Wave, CW mode), typical 46.0 dBm
Typical Power Gain 13.3 dB (Typical, in Doherty Configuration)
Typical Drain Efficiency 50%+ (Doherty Configuration, Optimized DPD Performance)
Supply Voltage (VDS) 28 V (Standard), Maximum Rated Voltage 65 V
Quiescent Drain Current (IDq) 200 mA (Typical)
Package Type SOT1258-4 (OMP-780-4F-1), 6-lead air cavity plastic earless flanged package, enhanced thermal dissipation
Special Features Asymmetric Doherty architecture, integrated ESD protection, low output capacitance, integrated input/output impedance transformation, user-friendly PCB matching to 50-ohm
Linearity Performance Optimized for high Peak-to-Average Power Ratio (PAPR) 5G NR signals, excellent ACPR performance after DPD correction

အင်္ဂါရပ်များနှင့် အကျိုးကျေးဇူးများ

  • 9th Generation LDMOS နည်းပညာ- 2.496–2.69 GHz လှိုင်းနှုန်းအကွာအဝေးတစ်လျှောက် မြင့်မားသောပါဝါနှင့် ထိရောက်မှုတို့ကို ချိန်ညှိရန် Ampleon ၏စက်မှုလုပ်ငန်း-လေးစားသော 9th မျိုးဆက် 28V LDMOS လုပ်ငန်းစဉ်ကို အသုံးပြု၍ 5G NR ဘက်စုံသုံး အခြေစိုက်စခန်းအက်ပ်ပလီကေးရှင်းများအတွက် အကောင်းဆုံးဖြစ်သည်။
  • Asymmetric Doherty ဗိသုကာ- ပေါင်းစပ်ထည့်သွင်းမှုခွဲခြမ်းနှင့် အထွက်ပေါင်းစပ်ကိရိယာပါရှိသော အခြေခံဘူတာရုံပေါင်းစုံ-ကယ်ရီယာအပလီကေးရှင်းများအတွက် အထူးဒီဇိုင်းထုတ်ထားပြီး broadband စွမ်းဆောင်ရည်ကို အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင်နှင့် စနစ်ဒီဇိုင်းရှုပ်ထွေးမှုကို လျှော့ချပေးသည်။
  • ထူးခြားသော ဒစ်ဂျစ်တယ်အကြိုပုံပျက်ခြင်း (DPD) စွမ်းဆောင်ရည်- 5G NR အချက်ပြမှုများကို ပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်ထားပြီး DPD ပြုပြင်မှုပြီးနောက် သာလွန်သောမျဉ်းသားမှုကို ပံ့ပိုးပေးသည့် အခြေစိုက်စခန်းများအတွက် တင်းကျပ်သော Adjacent Channel Power Ratio (ACPR) လိုအပ်ချက်များနှင့် ကိုက်ညီပါသည်။
  • အလွန်မြင့်မားသော ပါဝါသိပ်သည်းဆ- 400 W အထွတ်အထိပ်ထွက်ရှိမှုပါဝါကို စက်မှုလုပ်ငန်း ဦးဆောင်ပါဝါသိပ်သည်းဆနှင့်အတူ ကျစ်ကျစ်လစ်သိပ်သည်းစွာ ထုပ်ပိုးပေးကာ အခြေစိုက်စခန်း RF အရှေ့ဘက်စွန်းများ အရွယ်အစားကို သိသိသာသာ လျှော့ချပေးပြီး စနစ်ကုန်ကျစရိတ်ကို လျှော့ချပေးသည်။
  • စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် စွမ်းအင်ပြောင်းလဲခြင်း- ပုံမှန်ရေနုတ်မြောင်း၏ စွမ်းဆောင်ရည် 50% ထက်ကျော်လွန်သော အခြေခံဘူတာရုံ စွမ်းအင်သုံးစွဲမှုကို သိသိသာသာ လျှော့ချပြီး စနစ်ယုံကြည်စိတ်ချရမှုနှင့် လုပ်ငန်းလည်ပတ်မှုဆိုင်ရာ စီးပွားရေးကို ပိုမိုကောင်းမွန်စေပါသည်။
  • Low Output Capacitance Design- Doherty အပလီကေးရှင်းများတွင် ကြိမ်နှုန်းတုံ့ပြန်မှုနှင့် စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ပေးကာ broadband လိုက်လျောညီထွေဖြစ်အောင် မြှင့်တင်ပေးပြီး စနစ်တစ်ခုလုံး၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ပေးပါသည်။
  • ပေါင်းစပ် ESD ကာကွယ်မှု- အလွန်ကောင်းမွန်သော လျှပ်စစ်ဓာတ်အား စွန့်ထုတ်ခြင်းကို အကာအကွယ်ပေးသည်၊ စက်ပစ္စည်း၏ ယုံကြည်စိတ်ချရမှုနှင့် သက်တမ်းကို တိုးမြှင့်ပေးပါသည်။
  • Integrated Impedance Transformation- Built-in input နှင့် output impedance transformation networks များသည် user-friendly PCB နှင့် ကိုက်ညီသော 50-ohm သို့ ဒီဇိုင်းလုပ်ငန်းစဉ်ကို ရိုးရှင်းစေပါသည်။
  • မြင့်မားသောယုံကြည်စိတ်ချရသောပက်ကေ့ချ်- လေဝင်ပေါက်မှပလပ်စတစ်အနားကွပ်ပက်ကေ့ခ်ျသည် အလွန်ကောင်းမွန်သောအပူစီးကူးနိုင်စွမ်းကို ပေးစွမ်းနိုင်ပြီး မြင့်မားသောဝန်အခြေအနေအောက်တွင် တည်ငြိမ်သောလည်ပတ်မှုကိုသေချာစေပါသည်။
  • RoHS Compliant- ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာစျေးကွက်အသုံးချမှုများအတွက် RoHS ညွှန်ကြားချက်လိုအပ်ချက်များနှင့် ကိုက်ညီပါသည်။

အသုံးချမှု

  • 5G NR Macro/Micro Base Stations အတွက် RF Power Amplifiers (2.496–2.69 GHz လှိုင်း၊ ဥပမာ၊ n78/n79)
  • Multi-band 4G LTE Base Station Power Amplifier Modules (2496–2690 MHz)
  • ကြီးမားသော MIMO (mMIMO) စနစ်များတွင် ပါဝါချဲ့စက်များ
  • Multi-Carrier Communication Transmitter စနစ်များ (ဥပမာ၊ W-CDMA၊ LTE-A Pro)
  • Broadband Wireless Communication Infrastructure (ဥပမာ၊ C-Band၊ 5G-Advanced)
  • Industrial Internet of Things (IIoT) နှင့် Private Network Communication Systems (ဥပမာ၊ 5G-Industrial)၊
စုံစမ်းစစ်ဆေးရေး Send
*
*

ငါတို့သည်သင်တို့ကိုချက်ချင်းဆက်သွယ်ပါလိမ့်မယ်

ပိုမိုမြန်ဆန်စွာဆက်သွယ်နိုင်အောင်ပိုမိုသောအချက်အလက်များကိုဖြည့်ပါ

Privacy ထုတ်ပြန်ချက် - သင်၏ privacy သည်ကျွန်ုပ်တို့အတွက်အလွန်အရေးကြီးသည်။ သင်၏ကုမ္ပဏီ၏ကိုယ်ရေးကိုယ်တာအချက်အလက်များကိုသင်၏ရှင်းလင်းပြတ်သားသောခွင့်ပြုချက်များနှင့်အတူမည်သည့်ထုတ်ဖော်ပြောဆိုမှုကိုမထုတ်ဖော်ရန်ကတိပေးသည်။

ပေးပို့