BLC10G15XS-301AVT RF MOSFET LDMOS 30V

အဓိကသတ်မှတ်ချက်များ (Tcase=25°C၊ VDS=30V၊ W-CDMA အချက်ပြမှု)

• ကြိမ်နှုန်းအကွာအဝေး: 1452 MHz ~ 1492 MHz
• ထောက်ပံ့ရေးဗို့အား : 30 V (အမျိုးအစား။), Max 65V
• တိတ်ဆိတ်နေသော လက်ရှိ : 300mA (ပင်မ)
• ပျမ်းမျှ Output Power : 56.3 W (47.5dBm)
• Peak Output Power : 305 W (အမျိုးအစား။)
• ပါဝါရရှိမှု : 18.2 dB (အမျိုးအစား။)
• Drain Efficiency: 50.5% (အမျိုးအစား။)
• ACPR: −27.8 dBc (အမျိုးအစား။)
• Input Return Loss:−14 dB (အမျိုးအစား။)
• ပက်ကေ့ဂျ်: SOT1275-1၊ 6-ခဲ နားမပါတဲ့အနားကွပ် လေဝင်ပေါက်အထုပ်
• အပူခံနိုင်ရည် (JC) : 0.20 ~ 0.24 K/W
• အကြမ်းခံမှု : 10:1 VSWR full-phase load mismatch tolerance

အင်္ဂါရပ်များ

1. 10th-Gen LDMOS နည်းပညာ- ရေရှည်အခြေခံစခန်းလည်ပတ်မှုအတွက် အလွန်ကောင်းမွန်သော ဝန်မညီမှုခံနိုင်ရည်ရှိသော မြင့်မားသော အကြမ်းခံမှု၊
2. ပေါင်းစပ်ထားသော Asymmetric Doherty ဗိသုကာ- မြင့်မားသော PAPR 5G NR & LTE ဘက်စုံကယ်ရီယာ အချက်ပြများအတွက် ပိုမိုကောင်းမွန်သော မျဉ်းသားမှုရှိသော၊
3. On-Chip ထည့်သွင်းမှု အကြို-ကိုက်ညီခြင်း- ပြင်ပ RF ဒီဇိုင်းကို ရိုးရှင်းစေပြီး ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုကို အရှိန်မြှင့်ပေးသည်။
4. Memory Effect နည်းပါးခြင်း- DPD linearization ဖြင့် အလွန်ကောင်းမွန်သော ကပ်လျက်ချန်နယ်ကို ငြင်းပယ်ခြင်းကို သေချာစေသည်။
5. အပူဒဏ်ခံနိုင်ရည်နည်း- ယုံကြည်စိတ်ချရသော စဉ်ဆက်မပြတ် ပါဝါမြင့်မားသော လုပ်ဆောင်ချက်ကို ဖွင့်ပေးသည်။
6. ပေါင်းစပ် ESD ကာကွယ်မှု- တည်ငြိမ်မှု ဆန့်ကျင်နိုင်စွမ်းနှင့် ရေရှည်ယုံကြည်မှုကို မြှင့်တင်ပေးသည်။
7. RoHS လိုက်နာမှု- ပတ်ဝန်းကျင်စံနှုန်းများနှင့် ကိုက်ညီသည်။

ရိုးရိုးအပလီကေးရှင်းများ

• 5G n5 & 4G B5 လိုင်းများအတွက် Macro အခြေစိုက်စခန်းနောက်ဆုံးအသံချဲ့စက်
• 1452–1492 MHz အတွင်းရှိ Multi-carrier RF ထုတ်လွှင့်မှုစနစ်များ၊
• စွမ်းအားမြင့် လိုင်းနား RF ပါဝါအသံချဲ့စက် မော်ဂျူးများ။

အပိုင်းနံပါတ် အဓိပ္ပာယ်ဖွင့်ဆိုချက်

• BLC- Ampleon LDMOS ပါဝါကိရိယာစီးရီး၊
• 10G- 10th-generation LDMOS လုပ်ငန်းစဉ်၊
• 15: 1.5GHz လှိုင်းနှုန်းစဉ် (1452–1492MHz);
• XS- Asymmetric Doherty၊ ပုံမှန်အထုပ်၊
• 301: 300W+ အထွတ်အထိပ် ပါဝါ၊
• AVT- ဗီဒီယိုဖယ်ထုတ်ခြင်းပါရှိသော နားမထောင်အနားကွပ်၊ လေဝင်ပေါက်အထုပ်။