BLM8G0710S-15PB 2 stage dual section power MMIC

သော့သတ်မှတ်ချက်များ (Tcase=25°C၊ VDS=28V၊ 1-ကယ်ရီယာ W‑CDMA)

• ကြိမ်နှုန်းအကွာအဝေး: 700 MHz ~ 1000 MHz
• Drain Supply Voltage (VDS) : 28 V (အမျိုးအစား။), Max 32 V
• Quiescent လက်ရှိ: I_Dq1=15 mA (ဒရိုက်ဗာ); I_Dq2=60 mA (နောက်ဆုံး)
• ပျမ်းမျှ Output Power : 1.5 W (W‑CDMA၊ PAR = 9.9 dB)
• P1dB အထွက်ပါဝါ : 23.3 W (43.7 dBm၊ အမျိုးအစား။)
• ပါဝါရရှိမှု : 36 dB (အမျိုးအစား။)
• Drain Efficiency: 27% (အမျိုးအစား။)
• Linearity (ACPR5M)：-41 dBc (အမျိုးအစား။)
• ပက်ကေ့ဂျ်: SOT1211-3 (16 ခဲများ၊ အပူအပင် အမျိုးအစား)
• အပူခံနိုင်ရည် (Junction to Case) : 7.5 K/W
• အင်္ဂါရပ်များ : On-chip ကိုက်ညီမှု၊ အပူချိန်-လျော်ကြေးပေးသည့်ဘက်လိုက်မှု၊ ESD ကာကွယ်မှု၊ မြင့်မားသော သီးခြားခွဲထားမှု

အဓိကအင်္ဂါရပ်များ

• 8th-generation LDMOS၊ 2-stage integrated amplifier- မြင့်မားသောအမြတ်၊ linearity နှင့် broadband တည်ငြိမ်မှု;
• 4G LTE၊ 5G NR၊ 3G W-CDMA;
• On-chip I/O ကိုက်ညီမှုသည် ရှုပ်ထွေးသော ပြင်ပဆားကစ်များကို ဖယ်ရှားပေးကာ ဒီဇိုင်းကို ရိုးရှင်းစေပြီး လည်ပတ်မှုကို တိုစေသည်
• မြင့်မားသော port-to-port isolation (29 dB) သည် single-ended/ dual-section/ Doherty/ push-pull topologies များကို ပံ့ပိုးပေးသည်；
• ပေါင်းစပ်ထားသော အပူချိန်-လျော်ကြေးပေးသည့်ဘက်လိုက်မှုသည် တည်ငြိမ်မှုကို သေချာစေပြီး ချိန်ညှိခြင်းအား လျှော့ချပေးသည်။
• Built-in ESD ကာကွယ်မှု၊ RoHS ကိုက်ညီမှု၊ ယုံကြည်စိတ်ချရမှုမြင့်မားသည်။

ရိုးရိုးအပလီကေးရှင်းများ

• Sub-1GHz (700–1000 MHz) macro base station driver (350W/500W Doherty transistors အတွက်)；
• 4G/5G အသေးစား ဆဲလ်/ pico ဆဲလ် နောက်ဆုံး အသံချဲ့စက် ;
• ပုဂ္ဂလိက ကြိုးမဲ့၊ အများသူငှာ ဘေးကင်းရေး၊ ISM တီးဝိုင်း 10–20W RF ထုတ်လွှင့်စက်များ။

အပိုင်းနံပါတ် အဓိပ္ပာယ်ဖွင့်ဆိုချက်

• BLM: ဘက်စုံသုံးပါဝါ MMIC
• 8: 8th-generation LDMOS လုပ်ငန်းစဉ်
• G: အထွေထွေ ရည်ရွယ်ချက် ယာဉ်မောင်း / အသေးစား ဆဲလ်အဆင့်
• 0710: 700–1000 MHz လှိုင်းနှုန်း
• S: စံဗားရှင်း
• 15:15W ပါဝါအဆင့်သတ်မှတ်ချက် (P1dB)
• PB：SOT1211-3 ပြားချပ်ချပ်အပူ-တပ်ဆင်အထုပ်