BLC10G18XS-360AVT RF MOSFET LDMOS

အဓိကအင်္ဂါရပ်များ

• RF စွမ်းဆောင်ရည်- 1805–1880MHz တွင်လည်ပတ်ပြီး 360W အထွတ်အထိပ်ပါဝါ / 56W ပျမ်းမျှပါဝါ ≥17dB အမြတ်၊ 50.5% ပုံမှန်ထိရောက်မှု @28V၊ ACPR≤-29.5dBc၊ Multi-carrier နှင့် DPD linearization ကိုပံ့ပိုးပေးသည်။
• Doherty-Optimized- မြှင့်တင်ထားသော Doherty linearity နှင့် return loss အတွက် အထွက်နှုန်းနည်းသည်။ မမ်မိုရီနည်းသော အကျိုးသက်ရောက်မှုသည် ပုံပျက်မှုအနည်းဆုံးဖြင့် အားကောင်းသော DPD စွမ်းရည်ကို ပံ့ပိုးပေးသည်။
• အပူနှင့်ယုံကြည်စိတ်ချရမှု- အလွန်ကောင်းမွန်သောအပူကိုစုပ်ယူမှုနှင့် မြင့်မားသောလမ်းဆုံအပူချိန်ခံနိုင်ရည်အတွက် နိမ့်သောအပူခံနိုင်ရည်ရှိသည်။ ပေါင်းစပ် ESD ကာကွယ်ရေး၊ RoHS နှင့် လိုက်လျောညီထွေရှိသော၊ VSWR=10:1 load mismatch ကို ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။
• ဒီဇိုင်း၏လွယ်ကူမှု- 50Ω နှင့် အတွင်းပိုင်းကြိုတင်လိုက်ဖက်သော circuitry ကိုရိုးရှင်းစေသည်။ SOT1258-4 ပက်ကေ့ဂျ်သည် အစုလိုက်အပြုံလိုက် ထုတ်လုပ်မှုအတွက် အလိုအလျောက် တပ်ဆင်ခြင်းနှင့် လိုက်ဖက်ပါသည်။

ရိုးရိုးအပလီကေးရှင်းများ

• 1.8GHz လှိုင်းနှုန်းဖြင့် 4G/5G macro အခြေစိုက်စခန်း RF ပါဝါအသံချဲ့စက်များ
• Multi-carrier ဆက်သွယ်ရေးစနစ် transmitters
• 1805–1880MHz ကြိုးမဲ့ဆက်သွယ်ရေးအခြေခံအဆောက်အအုံ