BLC10G22XS-551AVT RF MOSFET LDMOS32V

အဓိကအင်္ဂါရပ်များ

• High-Frequency Performance : 2110–2180MHz တွင်လုပ်ဆောင်သည်၊ ≥15dB ပါဝါရရှိမှုနှင့် 65% ထိရောက်မှုနှင့်အတူ 550W အထွက်စွမ်းအားကို ပေးဆောင်သည်၊ 4G/5G မက်ခရိုနှင့် သေးငယ်သောဆဲလ်အခြေခံစခန်းများအတွက် အကောင်းဆုံးဖြစ်သည်။
• နိမ့်ကျခြင်းနှင့် တည်ငြိမ်မှု မြင့်မားခြင်း - သာလွန်သော အပူကို စုပ်ယူမှုအတွက် နိမ့်သော အပူခံနိုင်ရည်၊ အထွက်နှုန်းနည်းသော စွမ်းရည်သည် Doherty အသံချဲ့စက် linearity ကို ပိုကောင်းစေသည်။ မှတ်ဉာဏ်နည်းသော အကျိုးသက်ရောက်မှုသည် ကောင်းမွန်သော ဒစ်ဂျစ်တယ် ကြိုတင်ပုံပျက်ခြင်း (DPD) စွမ်းရည်ကို ပံ့ပိုးပေးသည်။
• အသုံးပြုရလွယ်ကူမှုနှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှု - ရိုးရှင်းသော circuit ဒီဇိုင်းအတွက် အတွင်းပိုင်းလိုက်ဖက်ပါသည်။ ပိုမိုကောင်းမွန်သောကြာရှည်ခံမှုအတွက် ပေါင်းစပ် ESD အကာအကွယ်၊ RoHS နှင့်လိုက်လျောညီထွေရှိသော၊ ခိုင်ခံ့သောလည်ပတ်မှုအတွက် VSWR=10:1 အထိဝန်မတူညီမှုကိုခံနိုင်ရည်ရှိသည်။

ရိုးရိုးအပလီကေးရှင်းများ

• 4G/5G macro အခြေစိုက်စခန်း RF ပါဝါအသံချဲ့စက်များ
• Multi-carrier ဆက်သွယ်ရေးစနစ် transmitters
• 2.2GHz ကြိုးမဲ့ဆက်သွယ်ရေးအခြေခံအဆောက်အအုံ