BLC8G21LS-160AVZ RF MOSFET LDMOS

အဓိကအင်္ဂါရပ်များ

• RF စွမ်းဆောင်ရည်- 1805–2025MHz တွင်လုပ်ဆောင်သည်၊ ≥15dB ပုံမှန်ရရှိသည့် 160W ပုံမှန်အထွက်ပါဝါ၊ 65V ယိုစီးမှုဗို့အား (28V စမ်းသပ်ဗို့အား)၊ Multi-carrier နှင့် DPD linearization ကို ပံ့ပိုးပေးသည်၊ 4G/5G အခြေစိုက်စခန်းအတွက် တင်းကျပ်သော linearity လိုအပ်ချက်များအတွက် စံပြဖြစ်သည်။
• ဖွဲ့စည်းပုံနှင့် ပက်ကေ့ခ်ျ- ပါဝါသိပ်သည်းဆ ဒီဇိုင်းများအတွက် အထူးကောင်းမွန်သော အပူစွမ်းဆောင်ရည်ရှိသော SOT1275-1 (DFM-6) base mount package၊ Dual-transistor common-source configuration ပေါင်းစပ်ထည့်သွင်းမှု ကိုက်ညီသောကွန်ရက်သည် ပြင်ပပတ်လမ်းကို ရိုးရှင်းစေသည်။
• ယုံကြည်စိတ်ချရမှုနှင့်ကာကွယ်မှု- Built-in ESD အကာအကွယ်၊ မြင့်မားသောလမ်းဆုံအပူချိန်ကိုခံနိုင်ရည်ရှိပြီးမကိုက်ညီသောဝန်ကိုခံနိုင်သည်၊ တွယ်ချိတ်တွယ်ချိတ်များသည်ဗီဒီယိုဘန်းဝဒ်စွမ်းဆောင်ရည်ကိုမြှင့်တင်ပေးသည်၊ အလွန်ကောင်းမွန်သောအပူတည်ငြိမ်မှု၊ RoHS နှင့်ကိုက်ညီသည်။
• ဒီဇိုင်းလိုက်ဖက်မှု- ဆက်တိုက်လှိုင်း (CW) နှင့် သွေးခုန်နှုန်းမုဒ်များကို ပံ့ပိုးပေးသည်၊ 1.8GHz/2.1GHz ကြိုးဝိုင်းအခြေစိုက်စခန်းနောက်ဆုံးအဆင့် အသံချဲ့စက်များအတွက် အချိုးကျ/မညီသော Doherty ဆားကစ်များနှင့် တွဲဖက်အသုံးပြုနိုင်သည်။

ရိုးရိုးအပလီကေးရှင်းများ

• 4G/5G အခြေစိုက်စခန်း RF နောက်ဆုံးအဆင့် အသံချဲ့စက်များ (1805–2025MHz လှိုင်း)
• Multi-carrier ဆက်သွယ်ရေးစနစ်များအတွက် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် Doherty ပါဝါချဲ့စက်များ
• 1.8GHz/2.0GHz band ကြိုးမဲ့ဆက်သွယ်ရေးအခြေခံအဆောက်အအုံ
• တီဗီထုတ်လွှင့်စက်များနှင့် စက်မှုလုပ်ငန်းသုံး RF အပလီကေးရှင်းများ