BLC9G22LS-160VTZ RF MOSFET LDMOS

အဓိကအင်္ဂါရပ်များ

• RF စွမ်းဆောင်ရည်- 2000–2500MHz တွင်လုပ်ဆောင်သည်၊ ≥13dB ရရှိမှုနှင့်အတူ 160W ပုံမှန်အထွက်ပါဝါကို ပေးဆောင်သည်၊ 65V လိုင်းဗို့အား ထုတ်ပေးသည်၊၊ 2.2GHz လှိုင်းလုံးတွင် ဝန်ဆောင်မှုပေးသူအများအပြားကို ချဲ့ထွင်ရန်အတွက် သင့်လျော်သည်။
• ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ပုံနှင့် ပက်ကေ့ချ်- ဆီလီကွန်အခြေခံ LDMOS နည်းပညာ၊ SOT1271-2 (7-pin လေဝင်ပေါက်သတ္တု) ပက်ကေ့ဂျ်သည် အလွန်ကောင်းမွန်သော အပူကို စုပ်ယူနိုင်ပြီး၊ ပါဝါသိပ်သည်းမှု မြင့်မားသော ဒီဇိုင်းများအတွက် စံပြဖြစ်သည်။
• ယုံကြည်စိတ်ချရမှုနှင့် လိုက်နာမှု- RoHS-လိုက်နာမှု၊ မြင့်မားသောလမ်းဆုံအပူချိန်ကိုခံနိုင်ရည်ရှိပြီး ဝန်မတူညီမှု၊ ရေရှည်တည်ငြိမ်သောလည်ပတ်မှုအတွက် ESD ကာကွယ်မှုပေါင်းစပ်ထားသည်။
• ဒီဇိုင်းလိုက်ဖက်မှု- ဆားကစ်ဒီဇိုင်းကို ရိုးရှင်းစေရန် အတွင်းပိုင်းကြိုတင် လိုက်ဖက်ကာ၊ စဉ်ဆက်မပြတ်လှိုင်း (CW) နှင့် သွေးခုန်နှုန်းမုဒ်များကို ပံ့ပိုးပေးသည်၊ အမျိုးမျိုးသော RF ပါဝါအသံချဲ့စက် ဗိသုကာများနှင့် တွဲဖက်အသုံးပြုနိုင်ပါသည်။

ရိုးရိုးအပလီကေးရှင်းများ

• 2.2GHz လှိုင်းနှုန်းဖြင့် 4G/5G အခြေစိုက်စခန်း RF ပါဝါအမ်ပလီယာများ
• TV transmitter များအတွက် ပါဝါချဲ့စက်များ
• စက်မှု၊ သိပ္ပံနှင့် ဆေးဘက်ဆိုင်ရာ (ISM) တီးဝိုင်း RF အရင်းအမြစ်များ
• 2000–2500MHz ကြိုးမဲ့ဆက်သွယ်ရေးအခြေခံအဆောက်အအုံ