BLC10G18XS-400AVT RF MOSFET LDMOS

အဓိကအင်္ဂါရပ်များ

• RF စွမ်းဆောင်ရည်- 1805–1880MHz တွင်လည်ပတ်ပြီး 400W အထွတ်အထိပ်ပါဝါ / 56W ပျမ်းမျှပါဝါ ≥16.5dB နှင့် 56W ပုံမှန်ထိရောက်မှု 49% @28V / 49.5% @32V၊ Multi-carrier နှင့် DPD linearization ကိုပံ့ပိုးပေးသည်။
• Doherty-Optimized- အထွက်စွမ်းရည်နိမ့်ခြင်းသည် Doherty အသံချဲ့စက်၏ linearity ကို မြှင့်တင်ပေးပြီး ပြန်ဆုံးရှုံးမှုကို မြှင့်တင်ပေးသည်။ မမ်မိုရီနည်းသော အကျိုးသက်ရောက်မှုသည် ပြင်းထန်သော DPD စွမ်းရည်ကို အနည်းဆုံး အချက်ပြပုံပျက်ခြင်း (ACPR≤-29.5dBc) ဖြင့် အားကောင်းစေသည်။
• အပူနှင့်ယုံကြည်စိတ်ချရမှု- အလွန်ကောင်းမွန်သောအပူကိုစုပ်ယူမှုနှင့် မြင့်မားသောလမ်းဆုံအပူချိန်ခံနိုင်ရည်အတွက် နိမ့်သောအပူခံနိုင်ရည်ရှိသည်။ ပေါင်းစပ် ESD ကာကွယ်ရေး၊ RoHS နှင့် လိုက်လျောညီထွေရှိသော၊ VSWR=10:1 load mismatch ကို ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။
• ဒီဇိုင်း၏လွယ်ကူမှု- 50Ω နှင့် အတွင်းပိုင်းကြိုတင်ချိတ်ဆက်ထားသော circuitry ကိုရိုးရှင်းစေပြီး ချိန်ညှိချိန်ကို လျှော့ချပေးသည်။ SOT1258-4 ပက်ကေ့ဂျ်သည် အလိုအလျောက် တပ်ဆင်မှုနှင့်အတူ တွဲဖက်အသုံးပြုနိုင်သည်။

ရိုးရိုးအပလီကေးရှင်းများ

• 1.8GHz လှိုင်းနှုန်းဖြင့် 4G/5G macro အခြေစိုက်စခန်း RF ပါဝါအသံချဲ့စက်များ
• Multi-carrier ဆက်သွယ်ရေးစနစ် transmitters
• 1805–1880MHz ကြိုးမဲ့ဆက်သွယ်ရေးအခြေခံအဆောက်အအုံ