BLC9H10XS-600A RF MOSFET LDMOS

အဓိကသတ်မှတ်ချက်များ

• ကြိမ်နှုန်းအကွာအဝေး: 616 MHz ~ 960 MHz Ampleon
• ပုံမှန်ထောက်ပံ့ရေးဗို့အား: 48 V, Max VDS: 105 V
• အထွက်ပါဝါ : 600 W (တစ်ခုတည်း-ကယ်ရီယာ W-CDMA)Ampleon
• ပါဝါရရှိမှု : 17.7 dB (အမျိုးအစား။)
• Drain Efficiency: 53.9% (Doherty မုဒ်)
• ပက်ကေ့ချ်: SOT1250-2 နားမပါဘဲအနားကွပ် ပက်ကေ့ဂျ် (၄ လုံး) Ampleon
• အပူခံနိုင်ရည် (Junction to Case) : 0.42 K/W
• အကြမ်းခံမှု : 10:1 VSWR ပါဝါအပြည့် ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။
• အင်္ဂါရပ်များ- မှတ်ဉာဏ်နည်းသောအကျိုးသက်ရောက်မှု၊ DPD တွဲဖက်အသုံးပြုနိုင်သော၊ တပ်ဆင်ထားသည့် ESD အကာအကွယ်၊ ပေါင်းစပ်ထည့်သွင်းမှုကိုက်ညီမှု၊ မြင့်မားသော linearityAmpleon

အဓိကအင်္ဂါရပ်များ

• Asymmetric Doherty ဗိသုကာလက်ရာသည် မြင့်မားသော ထိရောက်မှုနှင့် အလွန်ကောင်းမွန်သော linearityAmpleon တို့ကို မျှတစေသည်။
• 5G NR နှင့် 4G LTE မြင့်မားသော PAR၊ များစွာသော ကယ်ရီယာအချက်ပြမှုများAmpleon အတွက် Wideband sub-1GHz လွှမ်းခြုံမှု။
• Flange Package သည် သာလွန်ကောင်းမွန်သော အပူများ ပျံ့နှံ့ပြီး ရေရှည်တည်ငြိမ်မှုကို သေချာစေသည်။ load mismatchAmpleon ကို ဆန့်ကျင်ပြီး ကြံ့ခိုင်သည်။
• Integrated input matching သည် ပြင်ပအစိတ်အပိုင်းများကို လျော့နည်းစေပြီး အသံချဲ့စက်ဒီဇိုင်းAmpleon ကို ရိုးရှင်းစေသည်။

ရိုးရိုးအပလီကေးရှင်းများ

• 4G/5G macro အခြေစိုက်စခန်း AAU/RRU； အတွက် နောက်ဆုံးအဆင့် ပါဝါအသံချဲ့စက်
• Sub-1GHz wideband Doherty ပါဝါ အသံချဲ့စက် မော်ဂျူးများ;
• ပုဂ္ဂလိက ကြိုးမဲ့ကွန်ရက်များနှင့် အများသူငှာ ဘေးကင်းရေး စွမ်းအားမြင့် RF အသံလွှင့်စက်များAmpleon။

အပိုင်းနံပါတ် အဓိပ္ပာယ်ဖွင့်ဆိုချက်

• BLC: အနားကွပ်တပ်ထားသော အခြေစိုက်စခန်း LDMOS ထရန်စစ္စတာ
• 9: ၉ ခုမြောက် မျိုးဆက် LDMOS လုပ်ငန်းစဉ်
• H: စွမ်းအားမြင့်/ စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားသောအဆင့်
• 10：616–960 MHz ကြိမ်နှုန်းပလပ်ဖောင်း
• XS: မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်၊ မှတ်ဉာဏ်နည်းသောအကျိုးသက်ရောက်မှု
• 600: 600 W ပါဝါအဆင့်သတ်မှတ်ချက်
• A: Asymmetric Doherty ဖွဲ့စည်းမှု