BLC10G19XS-601AVTZ RF MOSFET LDMOS 30V

အဓိကသတ်မှတ်ချက်များ (Tcase=25°C၊ VDS=30V၊ W‑CDMA/5G NR အချက်ပြမှု)

• ကြိမ်နှုန်းအတိုင်းအတာ- 1.93 GHz ~ 1.995 GHz (n39/n40 ကဲ့သို့သော 5G ပင်မလှိုင်းများ)
• Drain Supply Voltage (VDS) : 30 V (အမျိုးအစား။), Max 65 V
• Quiescent Current (IDq) : 1060 mA (Main amp၊ Typ.)Ampleon
• ပျမ်းမျှ Output Power (PL(AV)) : 120–125 W (50.8 dBm)
• Peak Output Power (PL(M))： 630–680 W (Typ. 650 W)
• Power Gain (Gp) : 15 dB (အမျိုးအစား။)
• Drain Efficiency (ηD): 49% (အမျိုးအစား။)
• ကပ်လျက်ချန်နယ်ပါဝါအချိုးအစား (ACPR)：−32 dBc (အမျိုးအစား၊ မျဉ်းကြောင်းခွဲပြီးနောက် ≤−50 dBc)
• Input Return Loss (RLin)：−15 dB (အမျိုးအစား။)
• ပက်ကေ့ဂျ်: SOT1258-4 (6-ခဲ၊ နားမပါဘဲ အနားကွပ်၊ လေဝင်ပေါက် ပလပ်စတစ်)
• Thermal Resistance (Junction to Case)：0.16–0.18 K/W (120–150W power dissipation at)Ampleon
• အင်္ဂါရပ်များ- အတွင်းပိုင်းကြိုတင်ကိုက်ညီမှု၊ မှတ်ဉာဏ်နည်းသောအကျိုးသက်ရောက်မှုများ၊ မြင့်မားသောမတူညီမှုသည်းခံနိုင်မှု (VSWR=10:1)၊ အထွက်နှုန်းနည်းသော၊ ESD အကာအကွယ်၊ မြင့်မားသောကြမ်းတမ်းမှု

အဓိကအင်္ဂါရပ်များ

• Asymmetric Doherty ဗိသုကာ- ပေါင်းစပ်ထားသော main+peaking dual-path၊ 5G မြင့်မားသော PAPR အချက်ပြမှုများအတွက် အကောင်းဆုံးဖြစ်အောင်၊ မြင့်မားသောထိရောက်မှုနှင့် မြင့်မားသော linearity ကို ချိန်ညှိပေးသည်။
• မြင့်မားသောပါဝါသိပ်သည်းဆ: 650W အထွတ်အထိပ်ပါဝါ၊ 15dB အမြတ်၊ 1.9GHz လှိုင်းနှုန်းရှိ macro အခြေစိုက်စခန်းများ၏ မြင့်မားသောပါဝါလွှမ်းခြုံမှုလိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးသည်။
• မှတ်ဉာဏ်နည်းသော အကျိုးသက်ရောက်မှု ဒီဇိုင်း- လိုင်းမဟုတ်သော ဝိသေသလက္ခဏာများကို ပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်ထားသော၊ အားကောင်းသော DPD linearization စွမ်းရည်၊ 5G ဝန်ဆောင်မှုပေးသူအများအပြားနှင့် ကြီးမားသော MIMO အခြေအနေများအတွက် သင့်လျော်သည်။
• အလွန်ကောင်းမွန်သော အပူပိုင်းစွမ်းဆောင်ရည်- မြင့်မားသော အပူပျံ့ခြင်းထိရောက်မှုအတွက် အလွန်နိမ့်သောအပူခံနိုင်ရည် (0.16K/W)၊ ရေရှည်စဉ်ဆက်မပြတ် ပါဝါမြင့်မားသောလည်ပတ်မှုကို ပံ့ပိုးပေးသောAmpleon;
• အတွင်းပိုင်းကြိုတင်ကိုက်ညီမှု- ပြင်ပနှင့်ကိုက်ညီသောဆားကစ်များကို ရိုးရှင်းစေပြီး ဒီဇိုင်းစက်ဝန်းများကိုတိုစေကာ BOM ကုန်ကျစရိတ်ကို လျှော့ချပေးသည်။
• မြင့်မားသောကြမ်းတမ်းမှု- ရေရှည်တည်ငြိမ်သောလည်ပတ်မှုအတွက် VSWR=10:1 အားလုံး-အဆင့်ဝန်မတူညီမှုနှင့် broadband ဆူညံသံကြားဖြတ်ခြင်းကိုခံနိုင်ရည်ရှိသည်။
• RoHS နှင့် ကိုက်ညီမှု- ခဲ-အခမဲ့၊ eco-friendly။

ရိုးရိုးအပလီကေးရှင်းများ

• 5G macro အခြေစိုက်စခန်းနောက်ဆုံးအသံချဲ့စက် (1.93–1.995 GHz၊ n39/n40 လှိုင်းများ)；
• 4G LTE/5G NR multi-carrier RF အသံချဲ့စက်
• စွမ်းအားမြင့် RF အခြေစိုက်စခန်း ထုတ်လွှင့်သည့် လမ်းကြောင်းများ။
• ပိုမိုမြင့်မားသော ပါဝါနှင့် စွမ်းဆောင်ရည်အတွက် အမွေအနှစ် LDMOS (ဥပမာ၊ BLC10G19XS-551AVZ) အတွက် အစားထိုးခြင်း။

အပိုင်းနံပါတ် အဓိပ္ပာယ်ဖွင့်ဆိုချက်

• BLC: B-series၊ LDMOS၊ Doherty ပါဝါထရန်စစ္စတာ
• 10G: 10th-gen LDMOS လုပ်ငန်းစဉ်၊ ယေဘူယျအခြေခံစခန်းလျှောက်လွှာ
• 19:1.9GHz လှိုင်းနှုန်း (1.93–1.995GHz)
• XS: Earless flanged အထုပ်၊ ပါဝါသိပ်သည်းဆမြင့်မားသည်။
• 601：600W အတန်းအစား ပါဝါအဆင့်သတ်မှတ်ချက် (650W အမြင့်ဆုံး)
• AVT：Asymmetric Doherty၊ လေဝင်ပေါက် ပလပ်စတစ်အထုပ်၊ စံဗားရှင်း (Z/Y = batch/environmental suffix)