BLP2425M10S250PY ပါဝါ LDMOS ထရန်စစ္စတာ

အဓိကအင်္ဂါရပ်များ

• မြင့်မားသောပါဝါ- 250 W CW အထွက်ပါဝါ 2450 MHz။
• မြင့်မားသော စွမ်းဆောင်ရည်- ပုံမှန် 67% ရေနုတ်မြောင်း၏ ထိရောက်မှု၊ အအေးခံမှု လိုအပ်ချက်များနှင့် စွမ်းအင်သုံးစွဲမှုတို့ကို လျှော့ချပေးသည်။
• High Gain- 2450 MHz တွင် 15 dB ပါဝါရရှိမှု။
• Broadband လည်ပတ်မှု- 2400–2500 MHz အတွက် ပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်ထားပြီး 2.45 GHz ISM Band ကို လွှမ်းခြုံထားသည်။
• အတွင်းပိုင်းကိုက်ညီမှု- အဝင်နှင့်အထွက်ကို အတွင်းပိုင်းလိုက်ဖက်ပြီး ပြင်ပပတ်လမ်းကို ရိုးရှင်းစေသည်။
• အလွန်ကောင်းမွန်သော အကြမ်းခံမှု- အဆင့်အားလုံးတွင် VSWR=20:1 အထိ ဝန်မတူညီမှုကို ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။
• ပေါင်းစပ် ESD ကာကွယ်မှု- electrostatic discharge ခုခံအားကို မြှင့်တင်ပေးသည်။
• ကုန်ကျစရိတ်သက်သာသော ပက်ကေ့ချ်- OMP-780-4F-1 အပူပိုင်းမြှင့်တင်ထားသော ပလပ်စတစ်ပက်ကေ့ခ်ျ၊ RoHS နှင့် ကိုက်ညီသော၊ ကုန်ကျစရိတ် သက်သာပြီး အပူပိုင်းစွမ်းဆောင်ရည် ကောင်းမွန်ပါသည်။
• ရိုးရှင်းသော ပါဝါထောက်ပံ့မှု- 32 V DC တစ်ခုတည်းသော ထောက်ပံ့ရေးမှ လုပ်ဆောင်ပြီး အန္တရာယ်ရှိသော ဗို့အားမြင့်များကို ဖယ်ရှားပေးသည်။

ရိုးရိုးအပလီကေးရှင်းများ

• စီးပွားဖြစ်/စားသုံးသူ RF အပူပေးခြင်း (ဥပမာ၊ မိုက်ခရိုဝေ့မီးဖိုများ၊ အစိုင်အခဲ-စတိတ်ချက်ပြုတ်မှုစနစ်များ)
• စက်မှုအပူပေးခြင်း၊ အခြောက်ခံခြင်းနှင့် ကုသခြင်း ကိရိယာများ
• ဆေးဘက်ဆိုင်ရာ RF ablation နှင့် diathermy ကိရိယာများ
• သိပ္ပံနည်းကျ တူရိယာများနှင့် ISM-band RF ပါဝါ ပါဝင်ပါတယ်။

အဓိကသတ်မှတ်ချက်များ (@25°C၊ Vds=32 V၊ Idq=100 mA)