Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

မြန်မာ

WhatsApp:
+86 17287775445

Select Language
မြန်မာ
နေအိမ်> ထုတ်ကုန်များ> RF ပါဝါ Transistor> 2-Stage Doherty MMIC> RF MOSFET ထရန်စစ္စတာ BLM10D3438-35ABZ
RF MOSFET ထရန်စစ္စတာ BLM10D3438-35ABZ
RF MOSFET ထရန်စစ္စတာ BLM10D3438-35ABZ
RF MOSFET ထရန်စစ္စတာ BLM10D3438-35ABZ
RF MOSFET ထရန်စစ္စတာ BLM10D3438-35ABZ
RF MOSFET ထရန်စစ္စတာ BLM10D3438-35ABZ
RF MOSFET ထရန်စစ္စတာ BLM10D3438-35ABZ
RF MOSFET ထရန်စစ္စတာ BLM10D3438-35ABZ

RF MOSFET ထရန်စစ္စတာ BLM10D3438-35ABZ

Get Latest Price
min ။ အမိန့်:1
ကုန်ပစ္စည်း Attrib...

မော်ဒယ်နံပါတ်။BLM10D3438-35ABZ BLM10D3438-35AB

အမှတ်တံဆိပ်Ampleon

ထုပ်ပိုးခြင်း...

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

ကုန်ပစ္စည်းအက...
မော်ဒယ်- BLM10D3438-35ABZ
ထုတ်လုပ်သူ- Ampleon
ထုတ်ကုန်အမျိုးအစား- LDMOS 3-stage Fully Integrated Asymmetrical Doherty MMIC RF Power Amplifier၊ 3.4–3.8GHz band အတွက် အကောင်းဆုံးပြုလုပ်ထားသော (5G NR n78 core band နှင့် 4G TDD-LTE 3.5GHz mainstream band) macro base station နှင့် MIMO applications များကြားတွင် မြင့်မားသော power 5W နှင့် မြင့်မားသော ချိန်ခွင်လျှာညီမျှမှုတို့နှင့်အတူ power5W နှင့် မြင့်မားသော OS ချိန်ခွင်လျှာကို ရရှိခြင်း ရိုးရှင်းသော RF front-end ဒီဇိုင်းအတွက် ပေါင်းစပ်ထည့်သွင်းမှုခွဲခြမ်း၊ အထွက်ပေါင်းစပ်ကိရိယာ နှင့် အကြိုလိုက်ဖက်သည့်ကွန်ရက်များပါရှိသော နည်းပညာ

အဓိကသတ်မှတ်ချက်များ

Parameter Specification
Frequency Range 3400 MHz ~ 3800 MHz (Precisely covers 5G NR n78 core band, compatible with 4G TDD-LTE 3.5GHz mainstream band)
Output Power at 1dB Compression 45.4dBm (35W CW, at 28V supply, 3600MHz, pulsed CW measurement, δ=10%, tp=100μs)
Typical Power Gain 33.4 dB (at 28V supply, 3600MHz, pulsed CW signal), 33 dB (at 26V supply, 37dBm output, 3600MHz, 1-carrier LTE signal)
Typical Drain Efficiency 41% (at PL=37dBm/5W, 1-carrier LTE signal, PAR=7.6dB, 3600MHz)
Saturated Drain Efficiency 47% (at PL=PL(3dB), 3600MHz)
Supply Voltage 26V/28V nominal, Maximum Rated Drain-Source Breakdown Voltage 65V
Quiescent Current 41-42 mA (carrier path), independent biasing for peaking path (VGSq(peak)=VGSq(carrier)-0.5V), supporting flexible bias optimization
Package Type SOT1462-1 (PQFN-8x8-20), 8×8mm leadless thermal enhanced package with exposed thermal pad, 20 terminals, excellent thermal performance design
Port Characteristics Internally pre-matched to 50Ω input and 30Ω output, simplifying RF PCB design and reducing external component count
Architecture 3-stage fully integrated asymmetrical Doherty with built-in input splitter, output combiner, carrier/peaking amplifier paths and driver stages, fully integrated design reduces system complexity
Operating Temperature -40°C ~ +125°C (Maximum Junction Temperature 200°C), meeting industrial environment application requirements
Thermal Resistance Junction-to-case thermal resistance as low as 3.2 K/W (typical value, at PL=5W, 1-carrier W-CDMA signal, PAR=7.6dB)
Load Mismatch Tolerance Capable of withstanding VSWR=10:1 through all phases (at 32V supply, 3800MHz, 1-carrier W-CDMA signal, PAR=9.9dB), industry-leading robustness design
Gain Flatness Only 0.9dB within 3400-3800MHz band, suitable for ultra-broadband communication systems, reducing the need for external equalization circuits
Video Bandwidth 400MHz (at 34.0dBm output power, 2-tone CW signal, IMD3=-25dBc, 3600MHz), supporting ultra-wideband signal transmission, suitable for 5G-Advanced applications
ESD Protection CDM Class C2A (500V), HBM Class 1B (500V), enhancing device reliability during production and application, reducing the risk of electrostatic damage
Stability Rollett stability factor K>1 (at -40°C, 0.1GHz to 6.1GHz frequency range), ensuring stable operation across the entire band without self-oscillation risk

အင်္ဂါရပ်များနှင့် အကျိုးကျေးဇူးများ

  • Ampleon သည် အဆင့်မြင့် LDMOS လုပ်ငန်းစဉ်ကို လက်ခံပြီး 35W အလွန်မြင့်မားသော အထွက်ပါဝါနှင့် 41% မြင့်မားသော ထိရောက်မှုအကြား ဟန်ချက်ညီစေရန်၊ 5G မြင့်မားသော PAPR ပြုပြင်မွမ်းမံထားသော အချက်ပြမှုများ (PAR=7.6dB) အတွက် စံပြအဖြစ်၊ မက်ခရိုအခြေစိုက်စခန်းနှင့် ကြီးမားသော MIMO စနစ်များအတွက် တင်းကျပ်သော linearity လိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးပါသည်။
  • ပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်ထားသော 3-stage အပြည့်အ၀ပေါင်းစပ်ထားသော အချိုးမညီသော Doherty ဗိသုကာသည် ကောင်းမွန်သော Digital Pre-Distortion (DPD) အမှားပြင်ဆင်နိုင်စွမ်းကို ပံ့ပိုးပေးသည်၊၊ DPD ပြီးနောက် -30dBc နည်းပါးသည့် ထူးထူးခြားခြား Adjacent Channel Power Ratio (ACPR) ကို သေချာစေကာ၊ 5G NR တင်းကျပ်သော linearity သတ်မှတ်ချက်များနှင့် ပြည့်မီပြီး multi-carrier aggregation စနစ် (CA) အပလီကေးရှင်းများ ပေါင်းစည်းနိုင်မှုကို ပံ့ပိုးပေးခြင်း။
  • အပြည့်အ၀ပေါင်းစပ်ထားသော ဒီဇိုင်း ( built-in splitter ၊ ပေါင်းစပ်ပေါင်းစပ် ၊ pre-matching network နှင့် driver အဆင့်များ ) သည် RF PCB ဒီဇိုင်းကို အလွန်ရိုးရှင်းစေပြီး၊ ပြင်ပအစိတ်အပိုင်းအရေအတွက်ကို လျှော့ချပေးကာ၊ base station time-to-market ကို အရှိန်မြှင့်ပေးသည်၊ system cost and space occupation ကို လျှော့ချပေးပြီး ထုတ်ကုန်ယှဉ်ပြိုင်နိုင်စွမ်းကို တိုးတက်စေသည်။
  • ဝန်ဆောင်မှုပေးသူနှင့် အထွတ်အထိပ်ဘက်လိုက်မှုတို့ကို လွတ်လပ်သောထိန်းချုပ်မှုသည် မတူညီသောလုပ်ငန်းဆောင်ရွက်မှုအခြေအနေများအောက်တွင် လိုက်လျောညီထွေဖြစ်မှုနှင့် စွမ်းဆောင်ရည်စွမ်းဆောင်ရည်ကို လိုက်လျောညီထွေဖြစ်အောင်လုပ်ဆောင်နိုင်စေကာ၊ စံအများအပြားဆက်သွယ်ရေးစနစ်များ (GSM/W-CDMA/LTE/5G NR)၊ တက်ကြွသောပါဝါချိန်ညှိမှုကို ပံ့ပိုးပေးသည့်၊ စနစ်စွမ်းအင်ထိရောက်မှုနှင့် လည်ပတ်မှုကုန်ကျစရိတ်များကို လျှော့ချပေးသည်။
  • စက်မှုလုပ်ငန်းတွင် ဦးဆောင်နေသော ဝန်မတူညီမှု သည်းခံနိုင်စွမ်း၊ အဆင့်အားလုံးတွင် VSWR=10:1 ကို ခံနိုင်ရည်ရှိမှု၊ ရှုပ်ထွေးသော ပတ်ဝန်းကျင်များတွင် စနစ်ကြံ့ခိုင်မှုကို မြှင့်တင်ပေးခြင်း၊ အခြေစိုက်စခန်း ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းရေးစရိတ်များကို လျှော့ချခြင်း၊ စက်ပစ္စည်းများ ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်းကို သက်တမ်းတိုးစေပြီး ပြင်ပတွင် ကြမ်းတမ်းသော ပတ်ဝန်းကျင်တွင် ဖြန့်ကျက်ခြင်းအတွက် သင့်လျော်သည်။
  • Ultra-wide gain flatness (3400-3800MHz band အတွင်း 0.9dB သာ) နှင့် 400MHz ultra-wide video bandwidth၊ ultra-broadband ဆက်သွယ်ရေးစနစ်များအတွက် သင့်လျော်သည်၊ ပြင်ပတန်းတူညီမျှမှုဆားကစ်များလိုအပ်မှုကို လျှော့ချခြင်း၊ စနစ်ယုံကြည်စိတ်ချရမှုနှင့် ဒီဇိုင်းပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ်တိုးတက်စေခြင်းနှင့် RF front-end design workflow ကို ရိုးရှင်းစေသည်။
  • ပေါင်းစပ်ထားသော ESD အကာအကွယ်ပတ်လမ်း (CDM 500V, HBM 500V) သည် ထုတ်လုပ်ခြင်းနှင့် အသုံးချမှုအတွင်း စက်ပစ္စည်း၏ ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို မြှင့်တင်ပေးကာ လျှပ်စစ်စတိတ်ပျက်စီးမှုအန္တရာယ်ကို လျှော့ချပေးကာ ထုတ်လုပ်မှုအထွက်နှုန်းကို မြှင့်တင်ပေးကာ အကြီးစား အလိုအလျောက်ထုတ်လုပ်မှုနှင့် လိုက်လျောညီထွေဖြစ်အောင်၊ ထုတ်လုပ်မှုကုန်ကျစရိတ်ကို လျှော့ချပေးသည်။
  • 3.2 K/W အထိအနိမ့်ဆုံး junction-to-case အပူခံနိုင်ရည်ရှိသော PQFN ပက်ကေ့ဂျ်သည် အပူပျံ့ခြင်းစွမ်းဆောင်ရည်ကို ထိရောက်စွာတိုးတက်စေပြီး ပါဝါသိပ်သည်းဆဒီဇိုင်းများကို ပံ့ပိုးပေးခြင်း၊ macro base station နှင့် ကြီးမားသော MIMO compact space cooling လိုအပ်ချက်များနှင့် လိုက်လျောညီထွေဖြစ်အောင်၊ စက်ပစ္စည်းဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်းကို တိုးချဲ့ခြင်းနှင့် စနစ်တည်ငြိမ်မှုကို တိုးတက်စေပါသည်။
  • အလွန်ကျယ်ပြန့်သော ဗီဒီယို BandWidth (VBW) အပလီကေးရှင်းများကို ပံ့ပိုးပေးသည်၊ ကျယ်ပြန့်သောလှိုင်းအချက်ပြမှုများကို ပံ့ပိုးပေးသည့် မျိုးဆက်သစ် အခြေခံဘူတာရုံစနစ်များအတွက် သင့်လျော်သော၊ အနာဂတ် 5G ကွန်ရက်ဆင့်ကဲဖြစ်စဉ် (ဥပမာ၊ 5G-Advanced) လိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးခြင်း၊ ဖောက်သည်ရင်းနှီးမြှုပ်နှံမှုကို ကာကွယ်ခြင်းနှင့် ထုတ်ကုန်သက်တမ်းတိုးခြင်းတို့ကို ကာကွယ်ပေးခြင်း။
  • RoHS နှင့်ကိုက်ညီသော၊ ကမ္ဘာလုံးဆိုင်ရာ 5G ဆက်သွယ်ရေးအခြေခံအဆောက်အအုံတည်ဆောက်မှုနှင့် အသုံးချမှုအတွက် သင့်လျော်သည်၊ အစိမ်းရောင်ဆက်သွယ်ရေးဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှု၊ ကာဗွန်ခြေရာကိုလျှော့ချကာ ရေရှည်တည်တံ့သောဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုလိုအပ်ချက်များကိုဖြည့်ဆည်းပေးသည်။

အသုံးချမှု

  • 5G NR n78 band (3.4-3.8GHz) macro အခြေစိုက်စခန်းများအတွက် RF နောက်ဆုံးအဆင့် ပါဝါချဲ့ယူနစ်များသည် စွမ်းအားမြင့်နှင့် မြင့်မားသော linearity လိုအပ်ချက်များကို ပံ့ပိုးပေးသော၊ မြို့ပြနှင့် ဆင်ခြေဖုံးကျယ်ပြန့်သော လွှမ်းခြုံမှုအခြေအနေများအတွက် သင့်လျော်သည်၊ ကွန်ရက်လွှမ်းခြုံမှုအရည်အသွေးနှင့် စွမ်းဆောင်ရည်ကို ပိုမိုကောင်းမွန်စေပါသည်။
  • ကြီးမားသော MIMO (mMIMO) အခြေစိုက်စခန်းများအတွက် RF front-end modules များသည် မြင့်မားသော ပါဝါသိပ်သည်းဆနှင့် မြင့်မားသော ထိရောက်မှုလိုအပ်ချက်များကို ပံ့ပိုးပေးခြင်း၊ အခြေခံဘူတာရုံစွမ်းအင်သုံးစွဲမှုကို လျှော့ချခြင်း၊ အင်တင်နာအများအပြားခင်းကျင်းခြင်းဒီဇိုင်းများကို လိုက်လျောညီထွေဖြစ်အောင်၊ 5G ကွန်ရက်မြင့်မားသောဒေတာနှုန်းသတ်မှတ်ချက်များနှင့်အညီ စနစ်စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် ရောင်စဉ်တန်းထိရောက်မှုကို မြှင့်တင်ပေးခြင်း။
  • 4G TDD-LTE 3.5GHz ကြိုးဝိုင်းအခြေစိုက်စခန်းများအတွက် အဆင့်မြှင့်တင်ခြင်းနှင့် ပြုပြင်မွမ်းမံခြင်း ပရောဂျက်များ၊ ကွန်ရက်လွှမ်းခြုံမှုနှင့် စွမ်းဆောင်ရည်ကို ပိုမိုကောင်းမွန်စေခြင်း၊ 5G ကွန်ရက်များသို့ ချောမွေ့စွာကူးပြောင်းခြင်း၊ အော်ပရေတာများ၏ ရှိရင်းစွဲရင်းနှီးမြှုပ်နှံမှုများကို ကာကွယ်ပေးခြင်းနှင့် ကွန်ရက်ဆင့်ကဲပြောင်းလဲခြင်းကို အထောက်အကူပြုခြင်း။
  • Multi-carrier aggregation (CA) ဆက်သွယ်ရေးစနစ်များအတွက် နောက်ဆုံးအဆင့် ပါဝါအသံချဲ့စက်များ၊ ultra-broadband အချက်ပြလိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးခြင်း၊ စနစ်စွမ်းရည် တိုးမြှင့်ခြင်း၊ HD ဗီဒီယို၊ cloud ဂိမ်းဆော့ခြင်း၊ VR/AR ကဲ့သို့ မြန်နှုန်းမြင့် အပလီကေးရှင်းများကို ပံ့ပိုးပေးပြီး သုံးစွဲသူများ၏ တိုးပွားလာသော ဒေတာလိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးပါသည်။
  • ပုဂ္ဂလိကကွန်ရက်ဆက်သွယ်ရေးနှင့် Industrial Internet of Things (IIoT) အတွက် RF ထုတ်လွှင့်မှုစနစ်များသည် broadband နှင့် မြင့်မားသောယုံကြည်စိတ်ချရသောအက်ပ်လီကေးရှင်းများလိုအပ်ခြင်း၊ စမတ်ထုတ်လုပ်မှု၊ စမတ်ဂရစ်နှင့် ဉာဏ်ရည်ထက်မြက်သောသယ်ယူပို့ဆောင်ရေးကဲ့သို့သော စက်မှုအဆင့်ပတ်ဝန်းကျင်အသုံးချမှုကို ပံ့ပိုးပေးသည့် RF ထုတ်လွှင့်မှုစနစ်များ။
  • Standard Multi-standard (GSM/W-CDMA/LTE/5G NR) တွဲဖက်ဆက်သွယ်ရေးကိရိယာများအတွက် ပါဝါချဲ့စက်များ ၊ စက်ကိရိယာများ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုကုန်ကျစရိတ်များကို လျှော့ချခြင်း၊ စျေးကွက်သို့ အချိန်နှင့်အမျှ အရှိန်မြှင့်ခြင်း၊ အော်ပရေတာများ၏ စံကွန်ရက်ပေါင်းစည်းမှုလိုအပ်ချက်များနှင့် လိုက်လျောညီထွေဖြစ်အောင်၊ စက်ပစ္စည်း ဘက်စုံသုံးနိုင်မှု တိုးတက်စေခြင်း။
  • ကြိုးမဲ့ဆက်သွယ်ရေးအခြေခံအဆောက်အအုံအဆင့်မြှင့်တင်ခြင်းနှင့် ပြုပြင်မွမ်းမံခြင်းပရောဂျက်များ အထူးသဖြင့် ကြိမ်နှုန်းမြင့် 5G ကွန်ရက်ဖြန့်ကျက်မှုအတွက်၊ အော်ပရေတာများအား 5G ကွန်ရက်များကို လျင်မြန်စွာအသုံးချနိုင်ရန်၊ အသုံးပြုသူအတွေ့အကြုံကို မြှင့်တင်ပေးခြင်း၊ ဒစ်ဂျစ်တယ်စီးပွားရေးဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုလိုအပ်ချက်များကို ဖြည့်ဆည်းပေးခြင်း၊ လူမှုဒစ်ဂျစ်တယ်အသွင်ပြောင်းခြင်းကို မြှင့်တင်ပေးခြင်း။
နေအိမ်> ထုတ်ကုန်များ> RF ပါဝါ Transistor> 2-Stage Doherty MMIC> RF MOSFET ထရန်စစ္စတာ BLM10D3438-35ABZ
စုံစမ်းစစ်ဆေးရေး Send
*
*

ငါတို့သည်သင်တို့ကိုချက်ချင်းဆက်သွယ်ပါလိမ့်မယ်

ပိုမိုမြန်ဆန်စွာဆက်သွယ်နိုင်အောင်ပိုမိုသောအချက်အလက်များကိုဖြည့်ပါ

Privacy ထုတ်ပြန်ချက် - သင်၏ privacy သည်ကျွန်ုပ်တို့အတွက်အလွန်အရေးကြီးသည်။ သင်၏ကုမ္ပဏီ၏ကိုယ်ရေးကိုယ်တာအချက်အလက်များကိုသင်၏ရှင်းလင်းပြတ်သားသောခွင့်ပြုချက်များနှင့်အတူမည်သည့်ထုတ်ဖော်ပြောဆိုမှုကိုမထုတ်ဖော်ရန်ကတိပေးသည်။

ပေးပို့