BLM2425M9S20Z LDMOS 2 အဆင့်ပါဝါ MMIC

Get Latest Price

min ။ အမိန့်:

အခုတော့ဆက်သွယ်ပါ

ကုန်ပစ္စည်းအကြောင်းအရာ

ကုန်ပစ္စည်း Attrib...

ထုပ်ပိုးခြင်း�...

ကုန်ပစ္စည်းအက�...

ကုန်ပစ္စည်း Attrib...

မော်ဒယ်နံပါတ်။: BLM2425M9S20Z

အမှတ်တံဆိပ်: Ampleon

ထုပ်ပိုးခြင်း�...

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

ကုန်ပစ္စည်းအက�...

ISM Band Optimization- 2.45GHz ISM တီးဝိုင်းအတွက် အထူးဒီဇိုင်းထုတ်ထားပြီး၊ စက်မှု၊ သိပ္ပံနည်းကျ၊ ဆေးဘက်ဆိုင်ရာနှင့် မိုက်ခရိုဝေ့ဖ်ချက်ပြုတ်ခြင်းအက်ပ်လီကေးရှင်းများအတွက် 50Ω နှင့် အတွင်းပိုင်းလိုက်ဖက်ကာ စနစ်ဒီဇိုင်းကို ရိုးရှင်းစေသည်။
High Gain 2-stage Architecture- 27dB ပုံမှန်ပါဝါရရှိမှု၊ dual-stage LDMOS ဒီဇိုင်းသည် ပြင်ပ drive လိုအပ်ချက်များ (ခန့်မှန်းခြေအားဖြင့် +16dBm ထည့်သွင်းမှု)၊ စနစ်ရှုပ်ထွေးမှုနှင့် ကုန်ကျစရိတ်ကို လျှော့ချပေးသည်။
Excellent Efficiency Performance- 45% ပါဝါထပ်ဖြည့်ထိရောက်မှု၊ အလားတူထုတ်ကုန်များထက် 3-5% ပိုမြင့်မားသည်၊ ပါဝါသုံးစွဲမှုနှင့် အပူငွေ့ထုတ်ခြင်းစနစ်လိုအပ်ချက်များကို လျှော့ချပေးကာ စနစ်ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်းကို တိုးမြှင့်ပေးသည်။
စက်မှုလုပ်ငန်းတွင် ဦးဆောင်နေသော အကြမ်းခံနိုင်မှု- VSWR=20:1 အဆင့်များအားလုံးတွင် မကိုက်ညီမှုသည်းခံနိုင်မှုနှင့် 50V မြင့်မားသောပြိုကွဲမှုဗို့အား သယ်ဆောင်ပေးကာ ရှုပ်ထွေးသောလည်ပတ်မှုပတ်ဝန်းကျင်များနှင့် လိုက်လျောညီထွေဖြစ်အောင်လုပ်ဆောင်ကာ စနစ်ကျရှုံးမှုအန္တရာယ်များကို လျှော့ချပေးသည်။
Intelligent Integrated Functions- ပေါင်းစပ်ထားသော အပူအာရုံခံကိရိယာ (အချိန်နှင့်တပြေးညီ လမ်းဆုံအပူချိန်ကို စောင့်ကြည့်ခြင်း)၊ PWM ထိန်းချုပ်မှုပတ်လမ်း (ပါဝါထိန်းချုပ်မှုနှင့် RF ကူးပြောင်းခြင်းကို ပံ့ပိုးပေးသည်) နှင့် ESD ကာကွယ်ရေး၊ စနစ်ယုံကြည်စိတ်ချရမှုနှင့် ထိန်းချုပ်နိုင်မှုကို ပိုမိုကောင်းမွန်စေသည်။
တစ်ဦးချင်းအဆင့် ဘက်လိုက်မှု ထိန်းချုပ်ခြင်း- ပြင်ပမှ ဝင်ရောက်နိုင်သော တစ်ဦးချင်းအဆင့် ဘက်လိုက်မှုသည် လည်ပတ်မှုအမှတ်များကို လိုက်လျောညီထွေဖြစ်စေသော ချိန်ညှိမှုကို ခွင့်ပြုပေးပြီး မတူညီသော အပလီကေးရှင်းအခြေအနေများတွင် ထိရောက်မှုနှင့် မျဉ်းသားမှုကြားချိန်ခွင်လျှာကို ပိုကောင်းအောင်ပြုလုပ်ပေးသည်။
စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် ပက်ကေ့ဂျ်ဒီဇိုင်း- OMP-400-8G-1 ကြီးမားသောအပူပြားပါသည့် မျက်နှာပြင် တပ်ဆင်သည့်အထုပ်၊ 2.5K/W နိမ့်သော အပူဒဏ်ခံနိုင်ရည်ရှိပြီး ရေရှည်တည်ငြိမ်သောလည်ပတ်မှုကို အာမခံသည်။
မိုက်ခရိုဝေ့မီးဖိုချောင်သုံးပစ္စည်း- အိမ်သုံးနှင့်လုပ်ငန်းသုံး မိုက်ခရိုဝေ့မီးဖိုများ၊ စက်မှုမိုက်ခရိုဝေ့ဖ်အပူပေးသည့်မီးဖိုများ၊ 2.45GHz ISM တီးဝိုင်းအတွက် ရည်စူးထားသော၊ ထိရောက်သောစွမ်းအင်ပြောင်းလဲခြင်းနှင့် အစားအစာနှင့်ပစ္စည်းများကို တစ်ပြေးညီအပူပေးခြင်း။
စက်မှု RF အပူပေးခြင်း- Semiconductor wafer လုပ်ဆောင်ခြင်း၊ ပလပ်စတစ်ဂဟေဆော်ခြင်း၊ သစ်သားအခြောက်ခံခြင်းစနစ်များ၊ 2.45GHz တီးဝိုင်းသို့ လိုက်လျောညီထွေဖြစ်အောင်၊ တည်ငြိမ်သောစွမ်းအားမြင့် RF စွမ်းအင်ကို ပေးစွမ်းပြီး ထုတ်လုပ်မှု ထိရောက်မှု တိုးတက်စေသည်။
ဆေးဘက်ဆိုင်ရာပစ္စည်း- ဆေးဘက်ဆိုင်ရာရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာကုထုံးကိရိယာများ၊ ရေဒီယိုကြိမ်နှုန်း ablation စနစ်များ၊ တိကျသောကုသမှုကိုရရှိရန်၊ မြင့်မားသောယုံကြည်စိတ်ချရမှုနှင့် တည်ငြိမ်မှုရရှိရန် 2.45GHz RF စွမ်းအင်ကိုအသုံးပြု၍ ဆေးဘက်ဆိုင်ရာလုံခြုံမှုကိုသေချာစေသည်။
သိပ္ပံနည်းကျ သုတေသန တူရိယာများ- ဓာတ်ခွဲခန်း မိုက်ခရိုဝေ့ဖ် ပလာစမာ ရင်းမြစ်များ၊ ပစ္စည်း ပြုပြင်ခြင်း ကိရိယာများ၊ သိပ္ပံနည်းကျ စမ်းသပ်မှုများ အတွက် တည်ငြိမ်ပြီး ထိန်းချုပ်နိုင်သော 2.45GHz RF လှုံ့ဆော်မှု ပံ့ပိုးပေးခြင်းနှင့် နောက်ဆုံးပေါ် သုတေသနကို ပံ့ပိုးပေးခြင်း။
ဆက်သွယ်ရေးစနစ်များ- တိုတောင်းသော အကွာအဝေး စွမ်းအားမြင့် ဆက်သွယ်ရေးကိရိယာများ၊ ရေဒီယို ကြိမ်နှုန်း ခွဲခြားသတ်မှတ်ခြင်း (RFID) စာဖတ်သူများ၊ မြင့်မားသော အမြတ်နှင့် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်မားသော လက္ခဏာများ
စက်မှုအလိုအလျောက်စနစ်- RF induction အပူပေးကိရိယာများ၊ ထိတွေ့မှုမရှိသော အပူချိန်တိုင်းတာမှုစနစ်များ၊ ကြမ်းတမ်းသောစက်မှုပတ်ဝန်းကျင်များနှင့် လိုက်လျောညီထွေဖြစ်အောင်၊ စက်ပစ္စည်းများ၏ စဉ်ဆက်မပြတ်လည်ပတ်မှုကို သေချာစေရန် မြင့်မားသောကြမ်းတမ်းမှု။
Bias Circuit ဒီဇိုင်း-
- Vgs ဘက်လိုက်မှုကို ပေးဆောင်ရန် တိကျသော မြင့်မားသော ဗို့အားပိုင်းခြားသည့် ခုခံမှုကွန်ရက်ကို အသုံးပြုပါ၊၊ တည်ငြိမ်သောလျှပ်စီးကြောင်းသည် 100mA ဝန်းကျင်တွင် တည်ငြိမ်နေစေရန်၊ မျဉ်းသားမှုနှင့် အပူချိန်တည်ငြိမ်မှုကို ပိုမိုကောင်းမွန်စေပါသည်။
- ပါဝါထောက်ပံ့မှု ဆူညံသံနှင့် RF အချက်ပြချိတ်ဆက်မှုကို ဖိနှိပ်ရန် ဘက်လိုက်ဆားကစ်တွင် ဘက်စုံအဆင့် RC စစ်ထုတ်ခြင်း (100Ω resistor + 100nF capacitor အကြံပြုထားသည်) ကိုထည့်၍ စနစ်တည်ငြိမ်မှုကို ပိုမိုကောင်းမွန်စေသည်။
- ကွဲပြားသော အပလီကေးရှင်းအခြေအနေများနှင့် လိုက်လျောညီထွေဖြစ်စေရန်အတွက် ပထမအဆင့်နှင့် ဒုတိယအဆင့်များ၏ လည်ပတ်မှုအမှတ်များကို အသီးသီးချိန်ညှိရန် တစ်သီးပုဂ္ဂလအဆင့် ဘက်လိုက်ပင်များကို အသုံးပြုပါ။
အဝင်/အထွက် ကိုက်ညီမှု-
- စက်ပစ္စည်းသည် 50Ω နှင့် အတွင်းပိုင်း ကိုက်ညီပြီး၊ VSWR<1.5:1 ကို သေချာစေရန်အတွက် ရိုးရှင်းသော ပြင်ပချိတ်ဆက်မှုကွန်ရက် (1/4 wavelength transmission line ကဲ့သို့) သာ လိုအပ်ပါသည်။
- ကြိမ်နှုန်းမြင့်သော ကြွေထည်ပစ္စည်းများ (ဥပမာ NP0 ပစ္စည်း) နှင့် ကပ်ပါးကန့်သတ်ဘောင်များ၏ သက်ရောက်မှုကို လျှော့ချရန်နှင့် 2.45GHz စွမ်းဆောင်ရည် ပိုကောင်းအောင် ပြုလုပ်ရန် လိုက်ဖက်သည့် အစိတ်အပိုင်းများအတွက် လျှပ်ကူးပစ္စည်း အနိမ့် ခံနိုင်ရည်များကို ရွေးချယ်ပါ။
- ထည့်သွင်းမှုဆုံးရှုံးမှုကို လျှော့ချရန်၊ ပါဝါပို့လွှတ်မှု စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ရန်နှင့် signal ရောင်ပြန်ဟပ်မှုကို လျှော့ချရန်အတွက် ကိုက်ညီသော ကွန်ရက်များအဖြစ် microstrip လိုင်းများကို အသုံးပြုရန် အကြံပြုထားသည်။
အပူပိုင်းစီမံခန့်ခွဲမှု ပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်ခြင်း-
- ကိရိယာနှင့် အပူရှိတ်ခ်ကြားရှိ ကွာဟချက်ကို ဖြည့်ဆည်းရန်နှင့် အပူဒဏ်ခံနိုင်ရည်ကို လျှော့ချရန် ကိရိယာနှင့် အပူရှိန်ကြားရှိ မြင့်မားသော အပူစီးကူးနိုင်သော ဆီလီကွန်အဆီ (thermal conductivity ≥3.0W/m·K) ကို အသုံးပြုပါ။
- Heatsink ဧရိယာ ≥100cm²၊ အတင်းလေအေးပေးစက် (လေအလျင် ≥2m/s) နှင့် ပေါင်းစပ်ထားသော junction temperature <125℃၊ 20W high-power applications များနှင့် လိုက်လျောညီထွေဖြစ်စေသည်။
- အပူလွန်ကဲမှု ပျက်စီးခြင်းမှ ကာကွယ်ရန် ပေါင်းစပ်ထားသော အပူအာရုံခံ အထွက် အချက်ပြကို အသုံးပြု၍ အပိတ်အဝိုင်း အပူစီမံခန့်ခွဲမှု၊ အချိန်နှင့်တပြေးညီ အပူချိန် စောင့်ကြည့်ခြင်း ကို ရရှိနိုင်ပါသည်။
အကာအကွယ်ပတ်လမ်းဒီဇိုင်း-
- ပါဝါလွန်ကဲခြင်း ကာကွယ်ရေး- Directional coupler မော်နီတာများသည် ပါဝါရောင်ပြန်ဟပ်ကာ 2W ကျော်လွန်သည့်အခါ မောင်းနှင်အားကို လျှော့ချပေးသည်။
- အပူချိန်လွန်ကဲခြင်းကို ကာကွယ်ခြင်း- အပူအာရုံခံကိရိယာသည် လမ်းဆုံအပူချိန်ကို သိရှိနိုင်ပြီး စက်ပစ္စည်းအား အပူဒဏ်မှကာကွယ်ရန် 150 ℃ ရှိသည့်အခါ အထွက်ကို ပိတ်စေသည်။
- PWM ပါဝါထိန်းချုပ်မှု- ပါဝါစည်းမျဉ်း (0-100%) ရရှိရန် ပေါင်းစပ်ထားသော PWM ထိန်းချုပ်မှုပတ်လမ်းကို အသုံးပြု၍ မတူညီသောဝန်နှင့် အပလီကေးရှင်းလိုအပ်ချက်များကို လိုက်လျောညီထွေဖြစ်စေသည်။