BLM8D1822S-50PBG RF MOSFET LDMOS

အဓိကအင်္ဂါရပ်များ

• RF စွမ်းဆောင်ရည်- 1805–2170MHz တွင်လည်ပတ်ပြီး 50W (47dBm) P1dB ပြည့်ဝသောပါဝါကို ≥28dB အမြတ်၊ 28V ယိုစီးမှုဗို့အား၊ ≥45% ပုံမှန်ထိရောက်မှု၊ ဘက်စုံကယ်ရီယာနှင့် DPD linearization ကို ကောင်းမွန်သော linearity ဖြင့် ပံ့ပိုးပေးသည်။
• မြင့်မားသောပေါင်းစပ်မှု- ဝန်ဆောင်မှုပေးသူ/အမြင့်ဆုံး ထရန်စစ္စတာများ၊ အဝင်ပါဝါခွဲခြမ်း၊ အထွက်ပါဝါပေါင်းစပ်ကိရိယာနှင့် ဘက်လိုက်ပတ်လမ်းများကို အပြည့်အ၀ပေါင်းစပ်ထားပြီး၊ Doherty လုပ်ဆောင်ချက်ကို ချစ်ပ်တစ်ခုတည်းတွင် ပြီးပြည့်စုံစေကာ ပြင်ပဒီဇိုင်းကို ရိုးရှင်းစေသည်။
• ဘက်လိုက်မှုနှင့် ကာကွယ်မှု- လွတ်လပ်သော ဝန်ဆောင်မှုပေးသူ/အမြင့်ဆုံးဘက်လိုက်ထိန်းချုပ်မှုဖြင့် ပေါင်းစပ်ထားသော အပူချိန်-လျော်ကြေးပေးသည့်ဘက်လိုက်မှု။ Built-in ESD အကာအကွယ်၊ အလွန်ကောင်းမွန်သော အပူတည်ငြိမ်မှုနှင့် မြင့်မားသောယုံကြည်စိတ်ချရမှုအတွက် မကိုက်ညီမှုသည်းခံနိုင်မှုတို့ကို ထည့်သွင်းပါ။
• ဒီဇိုင်းလွယ်ကူမှု- 50Ω အဝင်/အထွက် impedance သည် ရှုပ်ထွေးသော ကိုက်ညီမှုကို ဖယ်ရှားပေးသည်။ သေးငယ်သောဆဲလ်များနှင့် ကျစ်လစ်သိပ်သည်းသော PA ဒီဇိုင်းများအတွက် အကောင်းဆုံး အစုလိုက်အပြုံလိုက် ထုတ်လုပ်မှုအတွက် အလိုအလျောက် တပ်ဆင်မှုနှင့်အတူ လိုက်ဖက်သော အထုပ်။

ရိုးရိုးအပလီကေးရှင်းများ

• 4G/5G ဆဲလ်အသေးစား နောက်ဆုံးအဆင့် အသံချဲ့စက်များ (1.8–2.17GHz လှိုင်း)
• 1805–2170MHz ကြိုးမဲ့ အခြေခံအဆောက်အအုံ ယာဉ်မောင်း အသံချဲ့စက်များ
• စွမ်းဆောင်ရည်မြင့်၊ high-linearity multi-carrier communication transmitters
• ကျစ်လစ်သော RF ပါဝါအသံချဲ့စက် မော်ဂျူးများ (စက်မှုလုပ်ငန်း/ISM တီးဝိုင်းများ)