BLM7G1822S-40PBG RF FET LDMOS

အဓိကအင်္ဂါရပ်များ

• RF စွမ်းဆောင်ရည်- 1805–2170MHz တွင်လည်ပတ်ပြီး 40W (46dBm) P1dB ပြည့်ဝသောပါဝါကို ≥31.5dB ပုံမှန်ရရှိမှု၊ 28V လျှပ်စီးကြောင်းဗို့အား (အမြင့်ဆုံး 65V)၊ ≥26.5% သာမာန်ရေနုတ်မြောင်းထိရောက်မှု၊ ဘက်စုံလိုင်းနှင့် DPD linearization ကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။
• မြင့်မားသောပေါင်းစပ်မှု- ပေါင်းစပ်ထည့်သွင်းမှု/အထွက်လိုက်ဖက်သောကွန်ရက်များဖြင့် ပေါင်းစပ်ထားသော အပိုင်းနှစ်ပိုင်း ဒီဇိုင်း၊ 50Ω စံသတ်မှတ်ချက်သည် ရှုပ်ထွေးသောပြင်ပကိုက်ညီမှုကို ဖယ်ရှားပေးကာ PCB ဒီဇိုင်းကို ရိုးရှင်းစေသည်။ တည်ငြိမ်မှုကို မြှင့်တင်ရန်အတွက် အပူချိန်-လျော်ကြေးပေးသည့်ဘက်လိုက်ပတ်လမ်းတွင် တပ်ဆင်ထားသည်။
• ယုံကြည်စိတ်ချရမှုနှင့်ကာကွယ်မှု- ပေါင်းစပ် ESD အကာအကွယ်၊ မြင့်မားသောလမ်းဆုံအပူချိန်ကိုခံနိုင်ရည်ရှိပြီးဝန်မတူညီမှု၊ အလွန်ကောင်းမွန်သောအပူတည်ငြိမ်မှု၊ RoHS နှင့်ကိုက်ညီသော၊ decoupling pins များသည် wideband applications များအတွက် video bandwidth စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ပေးပါသည်။
• ဒီဇိုင်းလိုက်ဖက်မှု- စဉ်ဆက်မပြတ်လှိုင်း (CW) နှင့် သွေးခုန်နှုန်းမုဒ်များကို ပံ့ပိုးပေးသည်၊ အချိုးညီ/မညီသော Doherty နှင့် single-ended circuit topologies တို့နှင့် လိုက်ဖက်သော၊ 1.8GHz/2.1GHz band base station driver နှင့် final-stage amplifiers အတွက် သင့်လျော်သည်။

ရိုးရိုးအပလီကေးရှင်းများ

• 4G/5G အခြေစိုက်စခန်း RF ယာဉ်မောင်း/နောက်ဆုံးအဆင့် အသံချဲ့စက်များ (1805–2170MHz လှိုင်း)
• Multi-carrier W-CDMA/LTE ဆက်သွယ်ရေးစနစ်များအတွက် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် Doherty ပါဝါချဲ့စက်များ
• 1.8–2.17GHz ကြိုးမဲ့ဆက်သွယ်ရေးအခြေခံအဆောက်အအုံ RF ထုတ်လွှင့်စက်များ
• TV transmitter များနှင့် စက်မှုလုပ်ငန်းသုံး RF အပလီကေးရှင်းများ (ISM bands)