B10G2327N55DZ RF MOSFET LDMOS

အဓိကအင်္ဂါရပ်များ

• RF စွမ်းဆောင်ရည်- 2300–2700MHz တွင်လုပ်ဆောင်သည်၊ 43.65W (~46.4dBm) P1dB သာလွန်သောပါဝါကို ≥30dB ပုံမှန်ရရှိမှု၊ 28V လျှပ်စီးကြောင်းဗို့အား (အမြင့်ဆုံး 65V)၊ ≥35.7% ပုံမှန်ရေစီးရေလာကောင်းမွန်မှု၊ >400MHz ဗီဒီယို bandwidth နှင့် PD-carriation ပေါင်း 0.300MHz ACPR5M ဖြင့် -38.5dBc အထိ၊ အလွန်ကောင်းမွန်သော linearity ကိုသေချာစေသည်။
• Asymmetrical Doherty ဗိသုကာ- ပေါင်းစပ် အချိုးမညီသော ကယ်ရီယာ/အထွတ်အထိပ် ထရန်စစ္စတာများ၊ အဝင်ခွဲခြမ်း၊ အထွက် ပေါင်းစပ်ကိရိယာ နှင့် 30Ω အထွက်အထွက် impedance (ပေါင်းစပ်အကြို-ကိုက်ညီမှု)၊ ရှုပ်ထွေးသော ပြင်ပဆားကစ်များကို ဖယ်ရှားပြီး PCB ဒီဇိုင်းနှင့် အမှားရှာပြင်ခြင်းကို ရိုးရှင်းစေသည်။
• လိုက်လျောညီထွေရှိသော ထိန်းချုပ်မှုနှင့် အကာအကွယ်- ဝန်ဆောင်မှုပေးသူနှင့် အထွတ်အထိပ်ဘက်လိုက်မှုတို့ကို လွတ်လပ်သော ထိန်းချုပ်မှုဖြင့် ကွဲပြားခြားနားသော ပါဝါနှင့် မျဉ်းသားမှုလိုအပ်ချက်များအတွက် တိကျသော ချိန်ညှိမှုကို ခွင့်ပြုသည်။ Built-in ESD အကာအကွယ်၊ Rollett တည်ငြိမ်မှုအချက်>1 နှင့် 0.05dB/°C နိမ့်သောအပူချိန်ရရှိမှုကိန်းဂဏန်းများသည် အလွန်ကောင်းမွန်သော အပူတည်ငြိမ်မှုနှင့် ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကို သေချာစေသည်။
• အပူနှင့်ထုပ်ပိုးခြင်း အားသာချက်များ- လမ်းဆုံတစ်ခုမှတစ်ခုသို့ အပူဒဏ်ခံနိုင်ရည်နည်းပါးခြင်းသည် သာလွန်ကောင်းမွန်သောအပူကို စွန့်ထုတ်နိုင်သည်၊ စဉ်ဆက်မပြတ်လှိုင်း (CW) နှင့် သွေးခုန်နှုန်းမုဒ်များကို ပံ့ပိုးပေးသည်၊ ကျစ်လစ်သိပ်သည်းသော 7mm×7mm PQFN20 ပက်ကေ့ဂျ်သည် space-constrained base station RF module ဒီဇိုင်းများအတွက် အကောင်းဆုံးဖြစ်သည်။

ရိုးရိုးအပလီကေးရှင်းများ

• 2.3–2.7GHz ဘက်စုံ 5G NR/LTE အခြေစိုက်စခန်း RF ဒရိုက်ဘာနှင့် နောက်ဆုံးအဆင့် အသံချဲ့စက်များ
• MIMO စနစ် RF အသံလွှင့်စက်များအတွက် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် Doherty ပါဝါချဲ့စက်များ
• Multi-carrier ဆက်သွယ်ရေးစနစ်များနှင့် ကြိုးမဲ့ဆက်သွယ်ရေးအခြေခံအဆောက်အအုံ RF ၏ ရှေ့ဆုံးမှ
• 2.3–2.7GHz အသေးစား macro နှင့် micro base station power amplification solutions
• အထွေထွေရည်ရွယ်ချက် RF စမ်းသပ်ကိရိယာများနှင့် စက်မှု RF အသုံးချပရိုဂရမ်များ (ISM တီးဝိုင်းများ)