BLP9H10S-500AWT RF MOSFET LDMOS 300 MV OMP780

1. အဓိကသတ်မှတ်ချက်များ

• ထုတ်လုပ်သူ- Ampleon
• နည်းပညာ- 9th Generation LDMOS
• ပက်ကေ့ချ်- OMP-780-6F-1 (အိုးဖုံးအုပ်ထားသော ပလပ်စတစ် နားမပါသော အနားကွပ်၊ 6-ခဲ၊ မြင့်မားသော အပူငွေ့ပျံ့ခြင်း)
• လှိုင်းနှုန်းအပိုင်း- 600 MHz – 960 MHz (4G/5G အကျုံးဝင်သည်- n5/n20/n28၊ Band 8/20/28)
• ထောက်ပံ့ရေးဗို့အား- VDS = 48 V (ပုံမှန်), VDSmax = 105 V
• အထွက်ပါဝါ (P3dB): 500 W @800 MHz၊ 48 V၊ 20 MHz LTE
• ပါဝါရရှိမှု- 18.3 dB (ပုံမှန်) @800 MHz
• Drain Efficiency- 51% (ပုံမှန်) @800 MHz (Doherty mode)
• Impedance- ပေါင်းစည်းထားသော wideband ကြိုတင်လိုက်ဖက်မှု၊ 50Ω စနစ်နှင့် လိုက်ဖက်သည်။
• Quiescent Current- Idq = 125 mA (ပုံမှန်)
• အပူဒဏ်ခံနိုင်ရည် (လမ်းဆုံမှ ကိစ္စရပ်): 0.45 K/W
• VSWR Ruggedness: 10:1 (အဆင့်အားလုံး၊ ပါဝါအပြည့်၊ ပျက်စီးမှုမရှိ)
• ကာကွယ်မှု- ပေါင်းစပ်ထားသော နှစ်ဘက်ခြမ်း ESD အကာအကွယ်၊ မှတ်ဉာဏ်နည်းသော အကျိုးသက်ရောက်မှု (DPD-ဖော်ရွေသော)၊ RoHS နှင့် ကိုက်ညီသည်
• နောက်ဆက်တွဲ- AWT = A (Asymmetric Doherty) + W (Wideband) + T (Tape & Reel)

2. အဓိကအင်္ဂါရပ်များ

1. Asymmetric Doherty Optimization- ချစ်ပ်ပေါ်ရှိ ပေါင်းစည်းထားသော ဝန်ဆောင်မှုပေးသူ/အမြင့်ဆုံး ထရန်စစ္စတာများ၊ အချိုးမညီသော ဒီဇိုင်းသည် မြင့်မားသော PAR (9.9dB) အချက်ပြမှုများအတွက် ထိရောက်မှုနှင့် မျဉ်းသားမှုကို မြှင့်တင်ပေးသည်။
2. မြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်နှင့် ရရှိမှု- ပုံမှန်စွမ်းဆောင်ရည် 51% နှင့် 18.3dB ရရှိမှု၊ စနစ်ပါဝါသုံးစွဲမှုနှင့် ကြိုတင်မောင်းနှင်မှုလိုအပ်ချက်များကို လျှော့ချကာ အပူပိုင်းဒီဇိုင်းကို ဖြေလျှော့ပေးသည်။
3. Wideband လွှမ်းခြုံမှုနှင့် DPD-ဖော်ရွေမှု- 600–960MHz စက်ပစ္စည်းတစ်ခုတည်း လွှမ်းခြုံမှု၊ အထွက်နှုန်းနည်းသော၊ မှတ်ဉာဏ်နည်းသောအကျိုးသက်ရောက်မှု၊ ဝန်ဆောင်မှုပေးသူ/အဝေးကွင်း 5G NR အချက်ပြမှုများအတွက် အကောင်းဆုံးဖြစ်သည်။
4. မြင့်မားသော အကြမ်းခံမှုနှင့် အပူပိုင်းစွမ်းဆောင်ရည်- 10:1 VSWR ခံနိုင်ရည်ရှိမှု၊ နှစ်ဘက်ခြမ်း ESD အကာအကွယ်၊ OMP အနားစထားသော ပက်ကေ့ဂျ် (Rth=0.45K/W)၊ စွမ်းအားမြင့်၊ ကြာရှည်ခံသော macro base station လည်ပတ်မှုအတွက် သင့်လျော်သည်။
5. လွယ်ကူစွာပေါင်းစပ်ခြင်း- ပေါင်းစပ် ကျယ်ပြန့်သော အဝင်အထွက်/အထွက်ကို လိုက်ဖက်ခြင်းသည် ပြင်ပပတ်လမ်းများကို ရိုးရှင်းစေပြီး ဒီဇိုင်းစက်ဝန်းများကို တိုစေပါသည်။

3. ပုံမှန်အသုံးပြုမှုများ

• 4G/5G Macro Base Station Final-Stage Amplifiers- 600–960MHz (n5/n20/n28) RRU/AAU ထုတ်လွှင့်သည့်ချန်နယ်များ။
• Multi-Carrier RF Power Modules- 20MHz/40MHz/80MHz wideband LTE/NR အချက်ပြ ချဲ့ထွင်ခြင်း။
• Doherty အသံချဲ့စက်စနစ်များ- မြင့်မားသော PAR အချက်ပြမှုများအတွက် အချိုးမညီသော ဗိသုကာလက်ရာ၊ စနစ်မျဉ်းသားမှုနှင့် ထိရောက်မှုတို့ကို တိုးတက်စေသည်။
• အများသူငှာ ဘေးကင်းရေး/ပုဂ္ဂလိကကွန်ရက် ထုတ်လွှင့်မှု- စွမ်းအားမြင့်၊ တည်ငြိမ်မှုမြင့်မားသော VHF/UHF ထုတ်လွှင့်သည့်ကိရိယာများ။

4. အပိုင်းနံပါတ်အမည်အမည်ခွဲခြမ်းခြင်း။

• BLP- Broadband LDMOS ပါဝါ
• 9: 9th Generation LDMOS လုပ်ငန်းစဉ်
• H: High Gain/ High Efficiency အဆင့်
• 10: 48V ဗို့အားအတန်းအစား ပလပ်ဖောင်း
• S: Standard Performance အဆင့်
• 500: 500 W Continuous Wave Output Power (P3dB)
• AWT- A (Asymmetric Doherty) + W (Wideband) + T (Tape & Reel)