RF MOSFET ထရန်စစ္စတာ BLC2425M10LS500P

အဓိကအင်္ဂါရပ်များ

• Ultra-High Power: 500 W CW/pulsed output power 2450 MHz။
• မြင့်မားသော စွမ်းဆောင်ရည်- ပုံမှန် 67.5% မြောင်းထိရောက်မှု၊ အအေးခံမှုလိုအပ်ချက်များနှင့် စွမ်းအင်ကုန်ကျစရိတ်များကို လျှော့ချပေးသည်။
• မြင့်မားသောရရှိမှု- 2450 MHz တွင် 14.5-15 dB ပါဝါရရှိမှု။
• Broadband လည်ပတ်မှု- 2400–2500 MHz အတွက် ပိုမိုကောင်းမွန်အောင်ပြုလုပ်ထားပြီး 2.45 GHz ISM Band ကို လွှမ်းခြုံထားသည်။
• အတွင်းပိုင်းအကြို-ကိုက်ညီခြင်း- အဝင်နှင့်အထွက်ကို အတွင်းပိုင်းလိုက်ဖက်ပြီး ပြင်ပ circuit ဒီဇိုင်းကို ရိုးရှင်းစေသည်။
• အလွန်ကောင်းမွန်သော အကြမ်းခံမှု- မြင့်မားသောယုံကြည်စိတ်ချရမှုအတွက် အဆင့်အားလုံးတွင် VSWR=20:1 အထိ ဝန်မတူညီမှုကို ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။
• ပေါင်းစပ် ESD ကာကွယ်မှု- electrostatic discharge ခုခံအားကို မြှင့်တင်ပေးသည်။
• စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် ပက်ကေ့ဂျ်- SOT1250-1 လေဝင်ပေါက် ပလတ်စတစ် ပက်ကေ့ခ်ျ 0.17 K/W အပူဒဏ်ခံနိုင်ရည်ရှိသော၊ RoHS နှင့် ကိုက်ညီမှုရှိသည်။
• Single Supply လုပ်ဆောင်ချက်- 32 V DC တစ်ခုတည်းသော ထောက်ပံ့ရေးမှ လုပ်ဆောင်ပြီး အန္တရာယ်ရှိသော မြင့်မားသော ဗို့အားများကို ဖယ်ရှားပေးပါသည်။

ရိုးရိုးအပလီကေးရှင်းများ

• စီးပွားဖြစ်/စားသုံးသူ RF အပူပေးခြင်း (အစိုင်အခဲ-အခြေအနေရှိ မိုက်ခရိုဝေ့မီးဖိုများ၊ စက်မှုချက်ပြုတ်မှုစနစ်များ)
• စက်မှုအပူပေးခြင်း၊ အခြောက်ခံခြင်း၊ ကုသခြင်းနှင့် ပလပ်စတစ်ဂဟေဆက်ခြင်း ကိရိယာများ
• ဆေးဘက်ဆိုင်ရာ RF ablation၊ diathermy နှင့် aesthetic ကိရိယာများ
• သိပ္ပံနည်းကျ တူရိယာများနှင့် စွမ်းအားမြင့် ISM-band RF ရင်းမြစ်များ

သော့သတ်မှတ်ချက်များ (@25°C၊ Vds=32 V၊ Idq=20 mA)