RF အပလီကေးရှင်းများအတွက် B10H0710N40DYZ 2-Stage Doherty MMIC

2-Stage Doherty MMIC

1. အခြေခံသတ်မှတ်ချက်များ

• ထုတ်လုပ်သူ- Ampleon
• နည်းပညာ- 10th Generation LDMOS
• ပက်ကေ့ဂျ်- LGA-12x8-34-2 (Surface-mount LGA၊ 34-pin၊ 12×8mm၊ တိပ်နှင့် ရစ်ပတ်အထုပ်- YZ နောက်ဆက်တွဲ)
• ကြိမ်နှုန်းအကွာအဝေး- 700 MHz – 1000 MHz (အခွဲ 1GHz 4G/5G လိုင်းများ အကျုံးဝင်သည်- n5/n8/n20/n28၊ Band 8/20/28)
• ထောက်ပံ့ရေးဗို့အား- VDS = 48 V (ပုံမှန်), VDSmax = 50 VAmpleon
• အထွက်ပါဝါ (P1dB): 40 W (ချန်နယ်တစ်ခု)၊ ချန်နယ်နှစ်ခုအတွက် 80 W စုစုပေါင်း drive စွမ်းရည်
• ပါဝါရရှိမှု- 31 dB (ပုံမှန်) @845 MHz၊ 1-ကယ်ရီယာ LTE 20MHzAmpleon
• Drain Efficiency- 54% (ပုံမှန်)
• Impedance- 50Ω အဝင်/အထွက်၊ ပေါင်းစပ်ခွဲခြမ်း/ပေါင်းစပ်/အကြိုကိုက်ညီမှု၊ ပြင်ပကိုက်ညီမှုမလိုအပ်ပါ။
• ဘက်လိုက်မှုထိန်းချုပ်ရေး- Doherty ပိုမိုကောင်းမွန်အောင်လုပ်ဆောင်မှုအတွက် အမှီအခိုကင်းသော ဝန်ဆောင်မှုပေးသူ/အမြင့်ဆုံးဘက်လိုက်မှု ထိန်းချုပ်မှု
• Quiescent Current- Idq = 72 mA (စုစုပေါင်း carrier + peaking)Ampleon
• Linearity- မြင့်မားသော linearity၊ low memory effect၊ wideband/high-PAR signalsများအတွက် DPD-friendly
• ယုံကြည်စိတ်ချရမှု- Built-in ESD ကာကွယ်မှု၊ RoHS ကိုက်ညီမှု၊ လည်ပတ်မှုအပူချိန်- -40°C မှ +125°C
• နောက်ဆက်တွဲ- DYZ = D (စံနှုန်းစွမ်းဆောင်ရည်) + YZ (အစုလိုက်အပြုံလိုက်ထုတ်လုပ်မှုအတွက် တိပ်နှင့် ရစ်ပတ် SMD ထုပ်ပိုးမှု)

2. အဓိကအင်္ဂါရပ်များ

1. အပြည့်အ၀ပေါင်းစပ်ထားသော Doherty MMIC- သယ်ဆောင်သူ/အမြင့်ဆုံး ထရန်စစ္စတာများ၊ အဝင်ခွဲထွက်ကိရိယာ၊ အထွက်ပေါင်းစပ်ကိရိယာ နှင့် 50Ω ပေါင်းစပ်ထားသည့် on-chip မတိုင်မီ ကိုက်ညီမှုရှိသည်။ ပြင်ပကိုက်ညီမှု/ကွဲထွက်ခြင်း/ပေါင်းစပ်ခြင်းကို ဖယ်ရှားပေးသည်၊ PA ဒီဇိုင်းကို ရိုးရှင်းစေသည်၊ အရွယ်အစားကို လျှော့ချပေးပြီး လိုက်လျောညီထွေရှိမှုကို တိုးတက်စေသည်
2. အမှီအခိုကင်းသော ချန်နယ်နှစ်ခု- သီးခြား ကယ်ရီယာ/အထွတ်အထိပ်ဘက်လိုက်မှုရှိသော Dual Doherty လမ်းကြောင်းများ။ အထွက် လည်ပတ်စက်Ampleon မပါဘဲ လေးခုပေါင်းစပ်ထားသော လုပ်ဆောင်ချက်ကို ပံ့ပိုးပေးသည်။
3. Ultra-High Gain & Efficiency- 31 dB အမြတ်နှင့် 54% ထိရောက်မှု၊ မောင်းနှင်မှုကြိုတင်လိုအပ်ချက်များကို လျှော့ချပေးပြီး စနစ်ပါဝါသုံးစွဲမှုကို လျှော့ချပေးသည်
4. Wideband & High Linearity- 700–1000MHz လွှမ်းခြုံမှုအပြည့်၊ 5G NR/4G LTE multi-carrier၊ wideband နှင့် high-PAR အချက်ပြများအတွက် အကောင်းဆုံး
5. SMD High-Integration Package- အလိုအလျောက်ထုတ်လုပ်ရန်အတွက် LGA မျက်နှာပြင်တပ်ဆင်ခြင်း၊ တိပ်နှင့် ရစ်ပတ်၊ ကျစ်လစ်သိပ်သည်းသော RRU/AAU၊ ဆဲလ်အသေးနှင့် pico cell ဒီဇိုင်းများအတွက် စံပြ

3. ပုံမှန်အသုံးပြုမှုများ

• 4G/5G sub-1GHz macro၊ micro နှင့် pico အခြေစိုက်စခန်းများအတွက် Doherty နောက်ဆုံးအဆင့် ယာဉ်မောင်းအသံချဲ့စက်များ
• Multi-carrier RF ပါဝါ modules (RRU/AAU) အတွက် ယာဉ်မောင်းအဆင့်များ
• Distributed Antenna Systems (DAS) အတွက် Drivers များနှင့် repeaters
• အများသူငှာ ဘေးကင်းရေး အတွက် မြင့်မားသော linearity drivers များ၊ ပရော်ဖက်ရှင်နယ် မိုဘိုင်းရေဒီယို (PMR) transmitters များ

4. အပိုင်းနံပါတ်အမည်အမည်ခွဲခြမ်းခြင်း။

• B- Base Station MMIC အသံချဲ့စက်
• 10: 10th Generation LDMOS လုပ်ငန်းစဉ်
• H: High Gain/ High Efficiency အဆင့်
• 0710- လှိုင်းနှုန်းစဉ် ကုဒ် (700–1000 MHz)
• N- N-channel LDMOS
• Channel တစ်ခုအတွက် 40: 40 W P1dB Output Power
• D- Standard Performance အဆင့်
• YZ- Tape & Reel SMD Package (အစုလိုက်အပြုံလိုက် ထုတ်လုပ်မှု)