အလွန်နိမ့် ESR၊ RF/Microwave Ceramic Dielectric Capacitor

အလွန်နိမ့် ESR၊ RF/Microwave Ceramic Dielectric Capacitor

Get Latest Price

min ။ အမိန့်:

အခုတော့ဆက်သွယ်ပါ

ကုန်ပစ္စည်းအကြောင်းအရာ

ကုန်ပစ္စည်း Attrib...

ထုပ်ပိုးခြင်း�...

ကုန်ပစ္စည်းအက�...

ကုန်ပစ္စည်း Attrib...

မော်ဒယ်နံပါတ်။: DLC75N(0201)

ထုပ်ပိုးခြင်း�...

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

ကုန်ပစ္စည်းအက�...

DLC75N သည် အလွန်နိမ့်သော ESR High Q RF MLCC ဖြစ်သည်။

DLC75N အလွန်နိမ့်သော ESR၊ RF/Microwave Ceramic Dielectric Capacitor

DLC75N(0201)

DLC75N Capacitance ဇယား

Capacitance (pF)	Code	Tolerance	Rated Voltage	Capacitance (pF)	Code	Tolerance	Rated Voltage	Capacitance (pF)	Code	Tolerance	Rated Voltage
0.2	0R2	A, B, C, D.	25V Code 250	1.7	1R7	A, B, C, D.	25V Code 250	6.2	6R2	B, C,	25V Code 250
0.3	0R3			1.8	1R8			6.8	6R8
0.4	0R4			1.9	1R9			7.5	7R5
0.5	0R5			2.0	2R0			8.2	8R2
0.6	0R6			2.1	2R1			9.1	9R1
0.7	0R7			2.2	2R2			10	100	F, G, J.
0.8	0R8			2.4	2R4			11	110
0.9	0R9			2.7	2R7			12	120
1.0	1R0			3.0	3R0			13	130
1.1	1R1			3.3	3R3			15	150
1.2	1R2			3.6	3R6			16	160
1.3	1R3			3.9	3R9			18	180
1.4	1R4			4.3	4R3
1.5	1R5			4.7	4R7
1.6	1R6			5.1	5R1
				5.6	5R6

အစိတ်အပိုင်းနံပါတ်

DLC75N အဆုံးထုပ်အမျိုးအစားနှင့် အရွယ်အစား

လျှပ်စစ်စွမ်းဆောင်ရည်

Item	Specification
Quality Factor (Q)	≥ 2000, measured at 1 ± 0.1 MHz, 1 ± 0.2 Vrms.
Insulation Resistance (IR)	≥ 10⁵ MΩ, at 25°C with rated voltage applied.
Rated Voltage (WVDC)	See capacitance table.
Dielectric Withstanding Voltage (DWV)	Apply 250% of rated voltage for 5 seconds.
Operating Temperature Range	-55°C ~ +150°C (Contact Dalicap Technology Co., Ltd. if higher temperature is required.)
Temperature Coefficient (TC)	0 ± 30 ppm/°C
Capacitance Drift	±0.2% or ±0.05 pF, whichever is greater.
Piezoelectric Effect	None

ပတ်ဝန်းကျင်ဆိုင်ရာ စမ်းသပ်မှု

Item	Specification	Method
Resistance to Soldering Heat	Appearance: No mechanical damage. Capacitance change: -1.0% ~ +2.0% or 0.5pF, whichever is greater. Q factor: Greater than 1000. Insulation resistance: Not less than the initial required value.	Preheat at 150°C ~ 180°C for 1 minute, immerse in solder at 260±5°C for 10±1 seconds. Test after cooling for 24±2 hours.
Thermal Shock	Appearance: No mechanical damage. Capacitance change: Not exceeding 0.5% or 0.5pF, whichever is greater. Q factor: Greater than 2000. Insulation resistance: Not less than 30% of the initial required value. DWV: Complies with the initial required value.	Test in accordance with MIL-STD-202, Method 107, Condition A. Expose at extreme temperatures for 15 minutes. Transition time from minimum to maximum operating temperature shall not exceed 5 minutes, for 5 cycles.
Moisture Resistance	Appearance: No mechanical damage. Capacitance change: Not exceeding 0.5% or 0.5pF, whichever is greater. Q factor: Greater than 300. Insulation resistance: Not less than 30% of the initial required value. DWV: Complies with the initial required value.	Test in accordance with MIL-STD-202, Method 106.
Steady State Humidity	Appearance: No mechanical damage. Capacitance change: Not exceeding 0.3% or 0.3pF, whichever is greater. Q factor: Greater than 300. Insulation resistance: Complies with the initial required value.	Test in accordance with MIL-STD-202, Method 103, Condition A. Apply 1.5V DC voltage under conditions of 85°C temperature and 85% humidity for 240 hours continuously.
Life	Appearance: No mechanical damage. Capacitance change: Not exceeding 2.0% or 0.5pF, whichever is greater. Q factor: Greater than 500. Insulation resistance: Not less than 30% of the initial required value.	Test in accordance with MIL-STD-202, Method 108. Apply 2 times the rated voltage at the extreme temperature for 2000 hours.

DLC75N စွမ်းဆောင်ရည်မျဉ်းကွေး

capacitor ၏ S21 မျဉ်းကွေးတွင်၊ parallel resonance point (V-shaped attenuation point) အများအပြားရှိသည်။ ပထမအပြိုင် ပဲ့တင်ရိုက်ခတ်မှုကြိမ်နှုန်း FPR သည် အနိမ့်ဆုံးအပြိုင် ပဲ့တင်ရိုက်ခတ်မှုအမှတ်၏ ကြိမ်နှုန်းဖြစ်သည်။ ၎င်းသည် အလွှာ၏အထူနှင့် dielectric ကိန်းသေများကြောင့် ထိခိုက်ခြင်းမရှိသော်လည်း၊ ၎င်းကို capacitor ၏တပ်ဆင်မှုဦးတည်ချက်ဖြင့် လွှမ်းမိုးထားသည်။ အလျားလိုက်ဦးတည်ချက်ဆိုသည်မှာ capacitor ၏အတွင်းပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းပြားများသည် substrate နှင့်အပြိုင်ဖြစ်သည်။

capacitor ၏ input impedance [Zin] curve တွင်၊ series resonant point (V-shaped attenuation point) များစွာရှိသည်။ ပထမစီးရီး ပဲ့တင်ထပ်သောကြိမ်နှုန်း FSR သည် အနိမ့်ဆုံးစီးရီး ပဲ့တင်ထပ်အမှတ်၏ ကြိမ်နှုန်းဖြစ်သည်။ ဤအချိန်တွင်၊ input impedance Im[Zin] ၏ စိတ်ကူးဉာဏ်သည် သုည (Im[Zin] = 0) ဖြစ်သည်။ FSR အောက်တွင်၊ အစစ်အမှန်အစိတ်အပိုင်း Re[Zin] နှင့် input impedance ၏ စိတ်ကူးယဉ်အစိတ်အပိုင်း Im[Zin] သည် ကြိမ်နှုန်းဖြင့် မျဉ်းအတိုင်းမပြောင်းလဲပါ။ FSR ၏အရွယ်အစားသည် အောက်ဖော်ပြပါအချက်များနှင့် သက်ဆိုင်သည်- capacitor ၏အတွင်းပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းဖွဲ့စည်းပုံ၊ အလွှာပစ္စည်း၊ အလွှာအထူ၊ substrate dielectric constant၊ substrate ပေါ်ရှိ capacitor ၏တပ်ဆင်မှုဦးတည်ချက်နှင့် substrate pads အရွယ်အစား။

အဓိပ္ပါယ်နှင့် တိုင်းတာမှု အခြေအနေများ

အဓိပ္ပါယ်ဖွင့်ဆိုချက်- capacitor ကို microstrip လိုင်းသို့ ဆက်တိုက်ချိတ်ဆက်ထားသည်။ ဆိုလိုသည်မှာ၊ capacitor သည် 50-ohm microstrip လိုင်းတစ်ခု၏အစွန်းနှစ်ဖက်ကြားတွင်ကွာဟချက်ရှိသည်။ တိုင်းတာမှုအခြေအနေများ- Ro3006 Rogers အလွှာသည် dielectric constant ဖြစ်သော 6.15 ဖြစ်ပြီး၊ အလွှာ၏အထူသည် 10 mils တွင် အလျားလိုက်တပ်ဆင်ထားပြီး microstrip ကွာဟမှုသည် 6 mils နှင့် microstrip width သည် 14.1 mils ဖြစ်သည်။ ရည်ညွှန်းလေယာဉ်သည် နမူနာ၏အစွန်းတွင်ရှိသည်။ ဒေတာအားလုံးသည် မတူညီသောအလွှာများတွင် တိုင်းတာမှုဒေတာအများအပြားကို အခြေခံထားသည့် Modelithics Inc. မှထုတ်လုပ်သည့် လျှပ်စစ်မော်ဒယ်မှဖြစ်သည်။

ပူထုတ်ကုန်များ