C4H2327N55PZ RF MOSFET GAN
Get Latest Price| min ။ အမိန့်: | 1 |
မော်ဒယ်နံပါတ်။: C4H2327N55PZ C4H2327N55PX C4H2327N55P
အမှတ်တံဆိပ်: AMPLEON
The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

| Parameter | Specification |
|---|---|
| Frequency Range | 2300 MHz to 2690 MHz (2.3–2.69 GHz), covering 5G NR n41/n78 and other key bands |
| Peak Output Power (P1dB) | 50 W (Typical, in Doherty Configuration) |
| Typical Power Gain | 19.6 dB (Typical) |
| Typical Drain Efficiency | 50%+ (Doherty Configuration, Optimized DPD Performance) |
| Supply Voltage (VDS) | 46–48 V (Typical Application) / 50 V (Standard) |
| Quiescent Drain Current (IDq) | 30 mA (Typical) |
| Package Type | 6-DFN (7×6.5 mm), Surface Mount, with Exposed Pad (Enhanced Thermal Dissipation) |
| Special Features | Doherty architecture, integrated input splitter and output combiner, low output capacitance design |
| Linearity Performance | Optimized for high Peak-to-Average Power Ratio (PAPR) 5G NR signals, excellent ACPR performance after DPD correction |
Privacy ထုတ်ပြန်ချက် - သင်၏ privacy သည်ကျွန်ုပ်တို့အတွက်အလွန်အရေးကြီးသည်။ သင်၏ကုမ္ပဏီ၏ကိုယ်ရေးကိုယ်တာအချက်အလက်များကိုသင်၏ရှင်းလင်းပြတ်သားသောခွင့်ပြုချက်များနှင့်အတူမည်သည့်ထုတ်ဖော်ပြောဆိုမှုကိုမထုတ်ဖော်ရန်ကတိပေးသည်။
ပိုမိုမြန်ဆန်စွာဆက်သွယ်နိုင်အောင်ပိုမိုသောအချက်အလက်များကိုဖြည့်ပါ
Privacy ထုတ်ပြန်ချက် - သင်၏ privacy သည်ကျွန်ုပ်တို့အတွက်အလွန်အရေးကြီးသည်။ သင်၏ကုမ္ပဏီ၏ကိုယ်ရေးကိုယ်တာအချက်အလက်များကိုသင်၏ရှင်းလင်းပြတ်သားသောခွင့်ပြုချက်များနှင့်အတူမည်သည့်ထုတ်ဖော်ပြောဆိုမှုကိုမထုတ်ဖော်ရန်ကတိပေးသည်။